德國ALLOS Semiconductors GmbH市場總監(jiān)Alexander LOESING帶來“無碳摻雜GaN-on-Si大外延片實現(xiàn)低漏電流”報告。 “我們已經(jīng)在（111）硅襯底上通過MOVPE生長了150mm的硅襯底GaN外延片；并且已經(jīng)通過增加GaN厚度到7 ?m能夠顯示有效的隔離。同時，已經(jīng)可以展示進一步提高晶體質(zhì)量提高隔離效果；在XRD下的FWHM為 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我們證明了通過優(yōu)化GaN和Si襯底之間核/緩沖層以及GaN層的插入層的