瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰性。為此，化學氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發展。自2009年以來，在Chalmers我們已經在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物，石墨烯通過商業直冷式Aixtron系統生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環保的電化學氣泡分層，石墨烯可以轉移到