美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術的研究成果。在傳統的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發現碳化硅（SiC）因為其化學性質比較惰性已經可以作為傳統批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應用中可以使用典型