av免费国产_美女一级_丰满少妇在线观看网站_日本孕交_亚洲精品久久久_国产精华一区二区三区

全部 IFWS2022 IFWS2024

最新動態

荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

59290

臺灣科技大學Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節律影響之研究

臺灣科技大學Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節律影響之研究

57640

意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機

意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機

56790

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰

54050

中國工程院院士陳良惠：固態照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

中國工程院院士陳良惠：固態照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

53900

德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案

德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案

48220

2024年度中國第三代半導體技術十大進展

2024年度中國第三代半導體技術十大進展

45780

長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃

長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃

44530

英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

42360

【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

42230

昂瑞微電子副總經理黃鑫：國產突破，中國射頻前端產業引領5G 芯時代
10400
昂瑞微電子副總經理黃鑫：國產突破，中國射頻前端產業引領5G 芯時代
國產突破，中國射頻前端產業引領5G 芯時代Domestic breakthrough, China's RF front-end industry leads the 5G Chip era黃鑫北京昂瑞微電子技術股份有限公司副總經理HUANG XinVice General Manager of Beijing OnMicro Electronics Co., Ltd.
104000
guansheng2023-05-22 15:21
山東大學新一代半導體材料研究院研究員崔鵬：電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs
11110
山東大學新一代半導體材料研究院研究員崔鵬：電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs
電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
111100
guansheng2023-05-22 15:20
中國電科十三所正高級工程師杜鵬搏：47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設計
9910
中國電科十三所正高級工程師杜鵬搏：47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設計
47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設計Design of 47GHz-52GHz Power Amplifier Chipset 杜鵬搏中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經理DUPengboSenior Engineer of Hebei Semiconductor Institute, Deputy General Manager of Hebei New North China Integrated Circuit Co., Ltd
99100
guansheng2023-05-22 15:19
南京理工大學副教授黃同德：28GHz氮化鎵基時間調制波束成形系統
11220
南京理工大學副教授黃同德：28GHz氮化鎵基時間調制波束成形系統
28GHz氮化鎵基時間調制波束成形系統28GHz GaN based time modulated beamforming system黃同德南京理工大學副教授HUANG TongdeAssociate Professor of Nanjing University of Science and Technology
112200
guansheng2023-05-22 15:18
能訊高能半導體副總裁裴軼：氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領域的創新
10770
能訊高能半導體副總裁裴軼：氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領域的創新
氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領域的創新GaN Driving innovation in 5G, RF Energy and beyond裴軼蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁PEI YiVice President of Dynax Semiconductor, Inc
107700
guansheng2023-05-22 15:17
復旦大學教授黃偉：寬帶GaN毫米波新器件研究
9380
復旦大學教授黃偉：寬帶GaN毫米波新器件研究
寬帶GaN毫米波新器件研究Research on Broadband GaN Millimeter Wave Devices黃偉復旦大學教授HUANG WeiProfessor of Fudan University
93800
guansheng2023-05-22 15:16
國博電子副總經理錢峰：5G移動通信用化合物器件研究
8970
國博電子副總經理錢峰：5G移動通信用化合物器件研究
5G移動通信用化合物器件研究Research on Compound Semiconductor Devices for 5G Mobile Communication錢峰南京國博電子股份有限公司副總經理QIAN FengDeputy General Manager of Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd
89700
guansheng2023-05-22 15:15
澳大利亞麥考瑞大學教授Sourabh KHANDELWAL：Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM
7820
澳大利亞麥考瑞大學教授Sourabh KHANDELWAL：Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM
Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact modelSourabh KHANDELWAL澳大利亞麥考瑞大學教授Sourabh KHANDELWALProfessor of Macquarie University, Australia
78200
guansheng2023-05-22 15:14
西交利物浦大學朱昱豪：35-5V單片集成GaN基DC-DC浮動降壓轉換器
7200
西交利物浦大學朱昱豪：35-5V單片集成GaN基DC-DC浮動降壓轉換器
35-5V單片集成GaN基DC-DC浮動降壓轉換器A 35-5 V Monolithic integrated GaN-based DC-DC Floating Buck Converter朱昱豪西交利物浦大學ZHU YuhaoXi'an Jiaotong-Liverpool University
72000
guansheng2023-05-22 15:14
中科院寧波材料所戴貽鈞：無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設計與優化
6950
中科院寧波材料所戴貽鈞：無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設計與優化
無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設計與優化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴貽鈞中國科學院寧波材料技術與工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences
69500
guansheng2023-05-22 15:13
中科院蘇州納米所助理研究員鐘耀宗：功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法
7710
中科院蘇州納米所助理研究員鐘耀宗：功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法
功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
77100
guansheng2023-05-22 15:12
中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員胡衛國：AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制
10590
中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員胡衛國：AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制
AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛國中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
105900
guansheng2023-05-22 15:02
電子科技大學博士陳匡黎： p-GaN Gate HEMT器件閾值穩定性及其機理
8070
電子科技大學博士陳匡黎： p-GaN Gate HEMT器件閾值穩定性及其機理
p-GaN Gate HEMT器件閾值穩定性及其機理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
80700
guansheng2023-05-22 15:02
美國弗吉尼亞理工大學助理教授張宇昊：中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展
15540
美國弗吉尼亞理工大學助理教授張宇昊：中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展
中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices張宇昊美國弗吉尼亞理工大學助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University
155400
guansheng2023-05-22 15:01
潤新微電子副總經理王榮華：后快充時代的氮化鎵功率器件產業化
6690
潤新微電子副總經理王榮華：后快充時代的氮化鎵功率器件產業化
后快充時代的氮化鎵功率器件產業化GaN Power Devices Beyond Adapter Applications王榮華潤新微電子（大連）有限公司副總經理WANG RonghuaVice General Manager of Runxin Microelectronics
66900
guansheng2023-05-22 15:00
加拿大滑鐵盧大學副教授Lan WEI：Recent?Progress?of?the?MIT?Virtual-Source?GaN?HEMT?(MVSG)?Compact?Model
9190
加拿大滑鐵盧大學副教授Lan WEI：Recent?Progress?of?the?MIT?Virtual-Source?GaN?HEMT?(MVSG)?Compact?Model
RecentProgressoftheMITVirtual-SourceGaNHEMT(MVSG)CompactModelLan WEI加拿大滑鐵盧大學副教授Lan WEIAssociate Professor of University of Waterloo, Canada
91900
guansheng2023-05-22 14:59
南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇：Si基GaN器件及系統研究與產業前景
10690
南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇：Si基GaN器件及系統研究與產業前景
Si基GaN器件及系統研究與產業前景Research of GaN-on-Si devices and the related systems于洪宇南方科技大學深港微電子學院院長、教授YU HongyuDeanProfessor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology
106900
guansheng2023-05-22 14:57
南京郵電大學博士劉建華：氮化鎵功率器件耐壓理論與電場均勻化技術研究
8930
南京郵電大學博士劉建華：氮化鎵功率器件耐壓理論與電場均勻化技術研究
氮化鎵功率器件耐壓理論與電場均勻化技術研究Research on the breakdown theory and electric field homogenization technology of GaN-based Power Devices劉建華南京郵電大學博士
89300
guansheng2023-05-22 14:56
瑞士洛桑聯邦理工學院教授Elison MATIOLI：New technologies for efficient and integrated GaN power devices
12400
瑞士洛桑聯邦理工學院教授Elison MATIOLI：New technologies for efficient and integrated GaN power devices
New technologies for efficient and integrated GaN power devicesElison MATIOLI瑞士洛桑聯邦理工學院教授Elison MATIOLIProfessor of ?cole Polytechnique Fdrale de Lausanne, Swiss
124000
guansheng2023-05-22 14:56
清純半導體研發經理史文華：AECQ-101車規級認證的高性能1200V SiC MOS器件
12000
清純半導體研發經理史文華：AECQ-101車規級認證的高性能1200V SiC MOS器件
AECQ-101車規級認證的高性能1200V SiC MOS器件史文華清純半導體研發經理SHI Wenhua RD Manager of SiCHAIN Co.,Ltd.
120000
guansheng2023-05-22 14:47

熱門

聯系客服投訴反饋頂部

主站蜘蛛池模板：久久精品国产99久久 | 精品国产一区二区三 | 怡红院男人天堂 | wwwxx黄色 | 国产资源在线免费观看 | 久久精品国产第一区二区三区最新章节 | 久操香蕉 | 亚洲中出| 免费一区二区视频 | 国产在线无码视频观看草草视频 | 欧美一区二区视频在线观看 | 久久a v视频 | 91嫩草私人成人亚洲影院 | 九州影视在线免费 | 久久综合国产伦精品免费 | 亚洲一区二区三区四区在线视频 | 九一在线 | 国产伦乱视频 | 欧美三级欧美成人高清www | 一级尤物| 91成人免费 | 九九影院最新理论片 | 少妇9999九九九九在线观看 | 国产精品99久久久久久久 | 久久久久国产99久久国产 | 国产91free video| 黄色国产视频 | 国产美女精品福利一区二区 | 久久极品视频 | 国产美女一级做受老师 | 91精品老司机久久一区啪 | 久久高清免费 | 剑来在线观看 | 成人免费视频网址 | 麻豆av一区二区三区久久 | www五月天com| 午夜在线视频一区二区三区 | 久久av在线播放 | 国产免费视频观看ai | 逼逼导航 | 大香伊在人线免97 |