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荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

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臺灣科技大學Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰

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中國工程院院士陳良惠：固態照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案

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2024年度中國第三代半導體技術十大進展

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長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃

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英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

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諾貝爾物理獎獲得者天野浩院士： In pursuit of short wavelength solid state light emitter
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諾貝爾物理獎獲得者天野浩院士： In pursuit of short wavelength solid state light emitter
In pursuit of short wavelength solid state light emitter天野浩日本名古屋大學未來材料與系統研究所教授、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、２０１４年諾貝爾物理獎獲得者Hiroshi AMANOProfessor of Nagoya University, Japan, Member of The Engineering Academy of Japan, Member of the National, Academy of Engineering, Academician of Chinese Academy of Engineering, Laureate of the Nobel Prize
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guansheng2023-05-19 09:35
上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員王浩宇：基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術
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上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員王浩宇：基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術
基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術王浩宇上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
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guansheng2023-05-19 09:09
北京衛星制造廠有限公司領域總師萬成安：GaN/SiC功率器件在航天電源的應用前景
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北京衛星制造廠有限公司領域總師萬成安：GaN/SiC功率器件在航天電源的應用前景
GaN/SiC功率器件在航天電源的應用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬成安北京衛星制造廠有限公司領域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd
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guansheng2023-05-19 09:08
錦浪科技技術研究中心總監劉保頌： SiC功率器件在光伏逆變器中的應用進展
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錦浪科技技術研究中心總監劉保頌： SiC功率器件在光伏逆變器中的應用進展
SiC功率器件在光伏逆變器中的應用進展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters劉保頌錦浪科技技術研究中心總監LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
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guansheng2023-05-19 09:07
沛塬電子市場產品總監劉正陽：基于寬禁帶器件的高頻大功率模組應用
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沛塬電子市場產品總監劉正陽：基于寬禁帶器件的高頻大功率模組應用
基于寬禁帶器件的高頻大功率模組應用Application of high frequency and high power module based on wide band gap device劉正陽上海沛塬電子有限公司市場產品總監Zhengyang LIUShanghai MetaPWR Electronics Co., LTD
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guansheng2023-05-19 09:06
博湃半導體市場銷售總監：用于先進SiC功率模塊的整體解決（核心設備/材料/工程）方案
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博湃半導體市場銷售總監：用于先進SiC功率模塊的整體解決（核心設備/材料/工程）方案
用于先進SiC功率模塊的整體解決（核心設備/材料/工程）方案Overall solution (core equipment/materials/engineering) for advanced SiC power module周鑫蘇州博湃半導體技術有限公司市場銷售總監ZHOU XinDirector of Sales Marketing, Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.
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guansheng2023-05-19 09:04
臺達電子董慨：碳化硅及氮化鎵功率器件在數據中心AC-DC電源上的應用及展望
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臺達電子董慨：碳化硅及氮化鎵功率器件在數據中心AC-DC電源上的應用及展望
碳化硅及氮化鎵功率器件在數據中心AC-DC電源上的應用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺達電子高階客制電源事業部中國區總監Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics
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guansheng2023-05-19 09:03
世紀金光副總裁于坤山：第三代半導體助力數字能源產業發展
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世紀金光副總裁于坤山：第三代半導體助力數字能源產業發展
第三代半導體助力數字能源產業發展The wide bandgap semiconductor boosts the development of digital energy industry于坤山北京世紀金光半導體有限公司副總裁YU KunshanVice President of CENGOL
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guansheng2023-05-19 09:02
意大利帕多瓦大學Enrico Zanoni教授：用于高效能量轉換應用的GaN HEMT的深能級效應和可靠性
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意大利帕多瓦大學Enrico Zanoni教授：用于高效能量轉換應用的GaN HEMT的深能級效應和可靠性
用于高效能量轉換應用的GaN HEMT的深能級效應和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大學信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova
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guansheng2023-05-19 08:57
江蘇第三代半導體研究院研發部負責人王國斌：高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長
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江蘇第三代半導體研究院研發部負責人王國斌：高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長
高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王國斌江蘇第三代半導體研究院研發部負責人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
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guansheng2023-05-19 08:56
正通遠恒總經理劉兵武：定量陰極發光CL技術在氮化物半導體中的應用
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正通遠恒總經理劉兵武：定量陰極發光CL技術在氮化物半導體中的應用
定量陰極發光CL技術在氮化物半導體中的應用Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors劉兵武北京正通遠恒科技有限公司總經理Stephen LiUGeneral Manager of Beijing HONOPROF Sci.Tech. Ltd
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guansheng2023-05-19 08:55
武漢大學工業科學研究院研究員袁超：無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態熱反射技術
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武漢大學工業科學研究院研究員袁超：無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態熱反射技術
無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態熱反射技術Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武漢大學工業科學研究院研究員YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
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guansheng2023-05-19 08:53
北京大學副教授許福軍：AlGaN基低維量子結構外延和電導率調控研究
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北京大學副教授許福軍：AlGaN基低維量子結構外延和電導率調控研究
AlGaN基低維量子結構外延和電導率調控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學物理學院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
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guansheng2023-05-19 08:51
南大光電首席科學家楊敏：新型MO源及在第三代半導體中的應用
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南大光電首席科學家楊敏：新型MO源及在第三代半導體中的應用
新型MO源及在第三代半導體中的應用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors楊敏江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學家
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guansheng2023-05-19 08:51
奧趨光電CTO王琦琨：PVT法同質外延AlN生長和p型摻雜面臨的挑戰
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奧趨光電CTO王琦琨：PVT法同質外延AlN生長和p型摻雜面臨的挑戰
PVT法同質外延AlN生長和p型摻雜面臨的挑戰Challenges on homoepitaxial AlN growth and p-type doping by the PVT method王琦琨奧趨光電技術（杭州）有限公司研發總監（CTO）
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guansheng2023-05-19 08:43
桑立雯：利用AlN傳導層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性
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桑立雯：利用AlN傳導層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性
利用AlN傳導層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本國立物質材料研究所獨立研究員SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan
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guansheng2023-05-19 08:42
亞格盛電子副總經理俞冬雷：半導體行業對高純電子化學品質量管理的高要求
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亞格盛電子副總經理俞冬雷：半導體行業對高純電子化學品質量管理的高要求
半導體行業對高純電子化學品質量管理的高要求High requirements for the quality management of high-purity electronic chemicals in Semiconductor俞冬雷安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經理YU DongleiVice General Manager of Anhui Argosun?New Electronic Materials Co., Ltd
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guansheng2023-05-19 08:37
中國科學院半導體所研究員趙德剛：平片藍寶石襯底上高質量AlN材料MOCVD外延生長
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中國科學院半導體所研究員趙德剛：平片藍寶石襯底上高質量AlN材料MOCVD外延生長
平片藍寶石襯底上高質量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學院半導體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
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guansheng2023-05-18 16:19
南京大學教授修向前：基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術
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南京大學教授修向前：基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術
基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大學教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
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guansheng2023-05-18 16:18
納維科技總經理王建峰：應用于垂直器件的高電導率GaN單晶襯底制
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納維科技總經理王建峰：應用于垂直器件的高電導率GaN單晶襯底制
應用于垂直器件的高電導率GaN單晶襯底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰蘇州納維科技有限公司總經理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd
66900
guansheng2023-05-18 16:16

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