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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

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臺(tái)灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對(duì)人體晝夜節(jié)律影響之研究

臺(tái)灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對(duì)人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對(duì)于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時(shí)機(jī)

意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對(duì)于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時(shí)機(jī)

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

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中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機(jī)遇

中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機(jī)遇

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德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

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2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

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長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對(duì)人類健康的影響

英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對(duì)人類健康的影響

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【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響

【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響

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日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人谷保芳孝：氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展
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日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人谷保芳孝：氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展
氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
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IFWS2025-01-09 14:25
中國科學(xué)院蘇州納米所、研究員任國強(qiáng)：氨熱法氮化鎵單晶生長研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)
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中國科學(xué)院蘇州納米所、研究員任國強(qiáng)：氨熱法氮化鎵單晶生長研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)
氨熱法氮化鎵單晶生長研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國強(qiáng)中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:24
中電科四十六所新材料研發(fā)中心副主任程紅娟：氮化鋁單晶材料研究進(jìn)展與應(yīng)用展望
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中電科四十六所新材料研發(fā)中心副主任程紅娟：氮化鋁單晶材料研究進(jìn)展與應(yīng)用展望
氮化鋁單晶材料研究進(jìn)展與應(yīng)用展望Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials程紅娟中國電子科技集團(tuán)第四十六所新材料研發(fā)中心副主任CHENG HongjuanDeputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46THInstitute
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IFWS2025-01-09 14:21
思體爾總經(jīng)理LAMBRINAKI MARIIA：基于量產(chǎn)的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模
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思體爾總經(jīng)理LAMBRINAKI MARIIA：基于量產(chǎn)的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模
基于量產(chǎn)的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA蘇州思體爾軟件科技有限公司總經(jīng)理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:20
士蘭微電子功率系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)高級(jí)經(jīng)理朱曉慧：高性能SiC解決方案賦能新一代主驅(qū)應(yīng)用
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士蘭微電子功率系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)高級(jí)經(jīng)理朱曉慧：高性能SiC解決方案賦能新一代主驅(qū)應(yīng)用
高性能SiC解決方案賦能新一代主驅(qū)應(yīng)用朱曉慧杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)高級(jí)經(jīng)理
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IFWS2025-01-09 14:19
芯聚能半導(dǎo)體總裁周曉陽：碳化硅產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
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芯聚能半導(dǎo)體總裁周曉陽：碳化硅產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
碳化硅產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)周曉陽廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司總裁
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IFWS2025-01-09 14:17
英飛凌主任工程師張浩：英飛凌最新車規(guī)SiC產(chǎn)品與應(yīng)用
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英飛凌主任工程師張浩：英飛凌最新車規(guī)SiC產(chǎn)品與應(yīng)用
英飛凌最新車規(guī)SiC產(chǎn)品與應(yīng)用張浩英飛凌科技（中國）有限公司主任工程師
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IFWS2025-01-09 14:16
安世半導(dǎo)體中國區(qū)SiC戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人王駿躍：安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發(fā)展的助推器
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安世半導(dǎo)體中國區(qū)SiC戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人王駿躍：安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發(fā)展的助推器
安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發(fā)展的助推器王駿躍安世半導(dǎo)體中國區(qū)SiC戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人
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IFWS2025-01-09 14:13
中車科學(xué)家劉國友：軌道交通SiC功率器件研究與應(yīng)用進(jìn)展
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中車科學(xué)家劉國友：軌道交通SiC功率器件研究與應(yīng)用進(jìn)展
軌道交通SiC功率器件研究與應(yīng)用進(jìn)展劉國友株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司中車科學(xué)家、功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
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IFWS2025-01-09 14:12
長城汽車投資總監(jiān)耿偉：國產(chǎn)化芯片機(jī)會(huì)和長城汽車布局
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長城汽車投資總監(jiān)耿偉：國產(chǎn)化芯片機(jī)會(huì)和長城汽車布局
國產(chǎn)化芯片機(jī)會(huì)和長城汽車布局耿偉長城汽車投資總監(jiān)
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IFWS2025-01-09 14:11
艾姆希半導(dǎo)體銷售總監(jiān)趙志強(qiáng)：第四代半導(dǎo)體材料平坦化研究進(jìn)展
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艾姆希半導(dǎo)體銷售總監(jiān)趙志強(qiáng)：第四代半導(dǎo)體材料平坦化研究進(jìn)展
第四代半導(dǎo)體材料平坦化研究進(jìn)展Research Progress on Planarization of Fourth Generation Semiconductor Materials趙志強(qiáng)北京艾姆希半導(dǎo)體科技有限公司銷售總監(jiān)ZHAO ZhiqiangSales Director of MCF Technologies Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:07
弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授張宇昊:面向的Ga2O3功率器件應(yīng)用：封裝、魯棒性和多維器件
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弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授張宇昊:面向的Ga2O3功率器件應(yīng)用：封裝、魯棒性和多維器件
面向的Ga2O3功率器件應(yīng)用：封裝、魯棒性和多維器件Ga2O3Power Device Toward Application: Packaging, Robustness, and Multidimensional Devices張宇昊弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授ZHAGN YuhaoAssociate Professor of Center for Power Electronics Systems at Virginia Tech
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IFWS2025-01-09 14:06
大連理工大學(xué)副教授張赫之:氧化鎵中缺陷擴(kuò)展及模型
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大連理工大學(xué)副教授張赫之:氧化鎵中缺陷擴(kuò)展及模型
氧化鎵中缺陷擴(kuò)展及模型Defect Expansion and Model in Gallium Oxide張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate Professor, Dalian University of Technology
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IFWS2025-01-09 14:04
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華:超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究
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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華:超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究
超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore
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IFWS2025-01-09 14:02
南京大學(xué)教授葉建東: 氧化鎵高導(dǎo)熱異質(zhì)集成射頻器件
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南京大學(xué)教授葉建東: 氧化鎵高導(dǎo)熱異質(zhì)集成射頻器件
氧化鎵高導(dǎo)熱異質(zhì)集成射頻器件High Thermal Conductivity Heterogeneous Integrated RF Devices for Ga?O?葉建東南京大學(xué)教授YE JiandongProfessor of Nanjing University
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IFWS2025-01-09 14:01
皇家墨爾本大學(xué)微納研究院研究員徐承龍：基于液態(tài)金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga2O3氣體傳感器
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皇家墨爾本大學(xué)微納研究院研究員徐承龍：基于液態(tài)金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga2O3氣體傳感器
基于液態(tài)金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga2O3氣體傳感器High-Performance atomically thin Ga2O3Gas Sensors via Liquid Metal Printing and Femtosecond Laser Irradiation徐承龍皇家墨爾本大學(xué)微納研究院研究員XU ChenglongProfessor of Micro Nano Research Facility, STEM College, RMIT University
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IFWS2025-01-09 13:57
哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）教授孫華銳：氧化鎵材料和電子器件的熱特性
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哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）教授孫華銳：氧化鎵材料和電子器件的熱特性
氧化鎵材料和電子器件的熱特性Thermal Characteristics of Ga2O3Materials and Electronic Devices孫華銳哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）教授，理學(xué)院副院長SUN HuaruiProfessor of Harbin Institute of Technology, Shenzhen
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IFWS2025-01-09 13:56
鎵和半導(dǎo)體李山:氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究
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鎵和半導(dǎo)體李山:氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究
氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究Research on PECVD Epitaxial Growth of Gallium Oxide and the Photoelectric Information Sensing Devices李山南京郵電大學(xué)副教授、蘇州鎵和半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)LI ShanAssociate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications, RD director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd.
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IFWS2025-01-09 13:53

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