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俄羅斯STR 集團有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復合引起的效率下降和表面復合成為限制器件性能的主要因素。特別是當器件尺寸減小時，表面復合導致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數值降低。早期對-LED的研究主要集中在它們的電流調制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點。通常，-LED的

碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術的氮化鎵生長模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia