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應(yīng)用于垂直器件的高電導(dǎo)率GaN單晶襯底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd

常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結(jié)合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生

《碳化硅單晶襯底的研究進展及發(fā)展趨勢》徐現(xiàn)剛 教授 山東大學

《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波 教授 北京大學

奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰(zhàn)》。

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰(zhàn)