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基于光響應聚合物的Micro-LED可編程巨量組裝技術研究進展Research Progress of the Micro-LED Programmable Massive Assembly Technology Based on Photoresponsive Polymers龔政廣東省科學院半導體研究所教授，新型顯示團隊負責人Gong ZhengProfessor of the Institute of Semiconductors, Guangdong Academy of Sciences, Head of the Frontier Display Technology Team

新型寬禁帶壓電半導體材料-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王鋼中山大學佛山研究院院長，中山大學半導體照明材料及器件國家地方聯合工程實驗室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor

用于藍綠光Mini/Micro-LED生產的MOCVD新型裝備Blue/Green Mini and Micro-LEDs Grown on Large Size Substrates for Advanced Display Applications陳耀中微公司MOCVD工藝總監Yao CHENDirector of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China

新型MO源及在第三代半導體中的應用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors楊敏江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學家

應用于新冠殺菌的毫秒級脈沖新型驅動電源New Millisecond-level Pulse Drive Power Applied to the Sterilization of COVID-19吳光敏--深圳市易光科技有限公司董事長WU Guangmin--Chairman of YG Power Supply Co.,ltd

新型電力系統與國家雙碳戰略New Power System and NationalDual-Carbon Strategy湯廣福--中國工程院院士、全球能源互聯網研究院院長TANG Guangfu--Academician of Chinese Academy of Engineering, President of Global Energy Interconnection Research Institute

《新型 Micro-LED 在顯示與通信領域的應用》郭浩中 教授 臺灣交通大學

《新型Al(Ga)N/GaN異質結外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國家級重點實驗室

《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學微電子學院

《AlGaN基紫外發光和新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學

《新型GaN外延結構及其應用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導體有限公司

來自臺灣交通大學佘慶威教授，他在《可實現全彩微顯示的新型微結構LED》報告中表示，我們研究了一種新型微結構Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環壁厚度，可以實現發光波長從480nm藍光到535nm綠光的變化，接著在藍光NRLED上噴涂紅色量子點材料進行色彩轉換，即可在同一材料上實現RGB全彩微顯示。

對于大多數固態照明技術，尤其是對于深紫外發光二極管（DUV-LED）而言，提高光提取效率（LEE）具有非常重要的意義。臺灣交通大學

同濟大學戴奇教授在SSLCHINA2017:光品質與光健康分會上做了主題為基于節律效應和視覺照度全新的設計照明空間報告。他表示，我們的生物鐘和一天的時間是不完全一致的，所以我們是通過日光的光來進行協同、協調，如果沒有這種每天的太陽光的照射，我們的生物鐘......

丹麥科技大學教授歐海燕SiC白光發射主題報告；報告中指出，碳化硅（SiC）是寬間接帶隙半導體，發光效率低。 但這種材料除了豐富之外，還具有非常獨特的物理性能，如良好的導熱性，高擊穿電場等。 因此，研究其發光性能是非常有意義的，以便充分利用這種材料。 在這個演講中，介紹兩種方法，即通過施主-受主對摻雜SiC以及用制造多孔SiC的方法來制造發光的SiC。通過氮與硼共同重摻雜SiC，以證明有強烈的黃光發出。 之后，在優化鈍化條件之后，多孔SiC發射強藍綠色的光也被證明。當發黃光的共摻雜SiC和發藍綠光的多孔Si

西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結構的研究報告。

德國英戈爾施塔特應用技術大學Schmid MAXIMILIAN分享“新型瞬態熱分析試驗裝置分析LED燒結界面質量”。他介紹說，在線可靠性分析，加速壽命測試或者現場測試在生產中變得越來越重要。因為器件失效與溫度相關，結殼熱阻是LED最重要的參數之一。常用的耐熱測量方法是瞬態熱分析（TTA）。但TTA非常耗時并且工作繁雜。討論了TTA的改進。因此，開發并引入了新的測試設備。.....