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最新高性能SiC MOSFET技術(shù)助力未來SiC市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)The Latest High Performance SiC MOSFET Technology Trend for Future SiC Market Development濱田公守日本華為股份有限公司高級(jí)首席專家Kimimori HAMADASenior Chief Expert Huawei Technologies Japan

氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

英飛凌最新車規(guī)SiC產(chǎn)品與應(yīng)用張 浩英飛凌科技（中國(guó)）有限公司主任工程師

太陽能衛(wèi)星及相關(guān)波束無線電力傳輸技術(shù)的最新研發(fā)進(jìn)展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學(xué)教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

車載 MEMS 激光雷達(dá)解決方案及量產(chǎn)落地之最新進(jìn)展The latest progress for automotive grade MEMS LiDAR mass production and application solutions邵嘉平北京一徑科技有限公司副總裁SHAO JiapingVice President of ZVISION Technologies Co., Ltd

SiC器件和模塊的最新進(jìn)展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University

高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。

奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長(zhǎng)最新進(jìn)展及其未來挑戰(zhàn)》。

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長(zhǎng)最新進(jìn)展及其未來挑戰(zhàn)

海雷特張哲綱博士，分享最新智能調(diào)光光源、照明控制系統(tǒng)、智能家居相關(guān)最新產(chǎn)品及新技術(shù)趨勢(shì)。