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用于先進SiC功率模塊的整體解決（核心設備/材料/工程）方案Overall solution (core equipment/materials/engineering) for advanced SiC power module周鑫蘇州博湃半導體技術有限公司市場銷售總監ZHOU XinDirector of Sales Marketing, Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.

SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

珠海雷特張哲綱博士：創新與升級，向前一步，保持核心競爭力

浙大三色儀器有限公司總經理王建平在2018光亞展期間，接受極智頭條現場訪問，王建平總經理現場與極智網友分享公司核心競爭力！

東莞市中鎵半導體科技有限公司為中國國內首家專業生產氮化鎵（GaN）襯底材料的企業。公司經營范圍包括設計、研發及產銷：半導體材料、器件、生產設備等。其創造性地采用MOCVD技術、激光剝離技術、HVPE技術相結合的方法，研發、生產產品包括：GaN半導體襯底材料，包括GaN襯底，GaN/Al2O3復合襯底，圖形化藍寶石襯底（PSS）；生產上述產品的設備，如激光剝離設備等。并對相應技術擁有自主知識產權，使企業在國內國際競爭中處于一個優勢位置。