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【芯友薈】對話爍科晶體總經(jīng)理李斌，解鎖爍科晶體核心競爭力及大尺寸碳化硅襯底最新技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展思考！

基于InGaN基硅襯底Micro-LED的多色集成轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)Transfer printing technology based on InGaN-based silicon substrate micro-LEDs for multicolor integration田朋飛復(fù)旦大學(xué)副教授TIAN Pengfei Associate Professor of Fudan University

1200V級硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進展》技術(shù)報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進展。

【極智課堂】晶能光電王瓊： 硅襯底UV LED技術(shù)與應(yīng)用