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    guansheng2023-05-19 10:24
  • 中國電子科技集團首席
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    guansheng2023-05-19 09:39
  • 極智報告|中國電子科
    中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管(HFETs)應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現任中國電子科技集團公司首席專家,國際電工技術標準委員會專家,研究方向為太赫茲固態電子器件、先進半導體材料與器件。 其中,馮志紅表示,氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配,會帶來比較高的功率,相比其他一些結構更加優化,也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域,希望增加輸出功率。結合具體的建模分析,馮志紅表示,降低延遲,為了獲得信號而降低
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    limit2025-05-03 07:11
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