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雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場(chǎng)線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學(xué)Wang PengfeiXidian University

基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強(qiáng)型自驅(qū)動(dòng)紫外探測(cè)器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)