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  • 英諾賽科產品應用主任
    氮化鎵在新能源智能汽車的應用探索與實踐Research of InnoGaN in New-energy Intelligent?Vehicle Applications孟無忌英諾賽科產品應用主任工程師Eric MENGChief Engineer of Product Application for Innoscience
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    guansheng2023-05-22 14:38
  • 【視頻報告】英諾賽科
    英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰。駱薇薇在美國宇航局(NASA)工作了15年,并創辦了兩
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    limit2021-04-26 15:05
  • 英諾賽科科技有限公司
    英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰。駱薇薇在美國宇航局(NASA)工作了15年,并創辦了兩
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    limit2019-12-31 12:38
  • 英諾賽科研發中心副總
    英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術:從器件、封裝、到系統》研究報告
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    limit2019-12-30 13:03
  • 極智報告|英諾賽科
    英諾賽科(珠海)科技有限公司副總經理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報告。 由于缺乏低成本GaN體襯底,GaN被外延生長在各種基底上,最常見的是藍寶石,碳化硅(SiC)和硅。雖然晶格常數和熱膨脹系數(CTE)的失配使外延GaN很困難,特別是對于較大的Si襯底尺寸,但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力,這是因為Si的晶圓直徑大(200mm及更高)。為了替代商業的Si功率器件,GaN器件應當設計為增強型(e-mode),并通過低成本,
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    limit2025-04-05 12:52
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