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雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學Wang PengfeiXidian University

p-GaN Gate HEMT器件閾值穩定性及其機理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China

降低單眼亮度增加成人單眼時間同步閾值/使用屏幕設備對7-11歲兒童近視的影響：一項多中心實驗研究Reduced Monocular Luminance Increases Monocular Temporal Synchrony Threshold in Human Adults / Influence of Screen Devices using on Myopia in Children aged 7-11 years: a Multi-center Experimental Study余茜溫州醫科大學附屬眼視光醫院

《常關型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩定性》作者：化夢媛，李玲玲，王成財，姜作衡單位：南方科技大學

西安電子科技大學微電子學院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實現及給應用帶來的優勢