極智報告|丹麥科技大丹麥科技大學教授歐海燕SiC白光發射主題報告；報告中指出，碳化硅（SiC）是寬間接帶隙半導體，發光效率低。 但這種材料除了豐富之外，還具有非常獨特的物理性能，如良好的導熱性，高擊穿電場等。 因此，研究其發光性能是非常有意義的，以便充分利用這種材料。 在這個演講中，介紹兩種方法，即通過施主-受主對摻雜SiC以及用制造多孔SiC的方法來制造發光的SiC。通過氮與硼共同重摻雜SiC，以證明有強烈的黃光發出。 之后，在優化鈍化條件之后，多孔SiC發射強藍綠色的光也被證明。當發黃光的共摻雜SiC和發藍綠光的多孔Si
2100
