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席鑫：BiVO4和WO3異質(zhì)
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席鑫：BiVO4和WO3異質(zhì)
《BiVO4和WO3異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)GaN在光解水中的性能》作者：席鑫，陳志忠單位：北京大學(xué)
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limit2022-01-06 10:10
Xu Li：High valley p
1790
Xu Li：High valley p
High valley polarization in monolayer WS2 on AlGaNAuthor：Xu Li，Xinlong Zeng，Zhiming Wu，Yaping Wu，Junyong KangInstitute：Department of Physics, Xiamen University
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limit2022-01-05 17:45
陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
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陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-05 16:58
劉婷：Suppression of
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劉婷：Suppression of
Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國(guó)浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學(xué)未來(lái)材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學(xué)電子學(xué)系，北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院
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limit2022-01-05 16:56
化夢(mèng)媛：常關(guān)型 GaN P
2080
化夢(mèng)媛：常關(guān)型 GaN P
《常關(guān)型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機(jī)理及閾值電壓穩(wěn)定性》作者：化夢(mèng)媛，李玲玲，王成財(cái)，姜作衡單位：南方科技大學(xué)
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limit2022-01-05 16:54
朱廣潤(rùn)：微波毫米波器
2330
朱廣潤(rùn)：微波毫米波器
《GaN微波毫米波器件新進(jìn)展》作者：張凱，朱廣潤(rùn)，代鯤鵬，賈晨陽(yáng)，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
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limit2022-01-05 16:51
劉建勛：大尺寸硅基Ga
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劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長(zhǎng)研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢(qián)，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
26800
limit2022-01-05 16:49
馬曉華：面向終端應(yīng)用
2540
馬曉華：面向終端應(yīng)用
《面向終端應(yīng)用的GaN射頻芯片研究》作者：馬曉華代講：祝杰杰單位：西安電子科技大學(xué)
25400
limit2022-01-05 16:45
Maocheng Shan：Trans
700
Maocheng Shan：Trans
Transverse electric lasing at record short wavelength 244.63 nm from GaN quantum wells with weak exciton localizationAuthor：Maocheng Shan, Yi Zhang, Xiaohang Li, Changqing ChenInstitute：Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
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limit2022-01-05 16:16
梁鋒：GaN基大功率藍(lán)
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梁鋒：GaN基大功率藍(lán)
《GaN基大功率藍(lán)光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-05 16:06
劉建平：大功率氮化鎵
4010
劉建平：大功率氮化鎵
《大功率氮化鎵激光器研究進(jìn)展》作者：劉建平單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:57
云峰：Lasing charact
870
云峰：Lasing charact
Lasing characteristics of GaN-based whispering gallery mode optical microcavityAuthor/作者：Feng Yun（云峰）, Peng Hu（胡朋）,Yufeng Li（李虞鋒）, Qiang Li（李強(qiáng)）,Ye Zhang(張燁)Institute：Shaanxi Provincial Key Laboratory of PhotonicsInformation Technology, Xian Jiaotong University
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limit2022-01-05 15:49
孫錢(qián)：硅襯底GaN基激
3840
孫錢(qián)：硅襯底GaN基激
《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢(qián)，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
38400
limit2022-01-05 15:36
趙德剛：GaN材料碳雜
1840
趙德剛：GaN材料碳雜
《GaN材料碳雜質(zhì)行為與激光器研究進(jìn)展》作者：趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
18400
limit2022-01-05 15:33
呂澤升：High Perform
540
呂澤升：High Perform
High Performance InGaN/GaN Visible-light Photodetectors using Polarization-induced p-type Doping作者：呂澤升，郭瑤，寥鐘
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limit2022-01-05 13:26
程凱：新型GaN外延結(jié)
2290
程凱：新型GaN外延結(jié)
《新型GaN外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
22900
limit2022-01-05 13:18
黃思溢：基于水平常壓
2550
黃思溢：基于水平常壓
《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長(zhǎng)與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)
25500
limit2022-01-05 11:27
余佳東：等離子體密度
2650
余佳東：等離子體密度
《等離子體密度對(duì)ICP-MOCVD生長(zhǎng)GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學(xué)與技術(shù)
26500
limit2022-01-05 11:25
趙見(jiàn)國(guó)：非極性(11-20
2620
趙見(jiàn)國(guó)：非極性(11-20
《非極性(11-20)面P型GaN和全組分InGaN的MOCVD生長(zhǎng)與研究》作者：趙見(jiàn)國(guó)，陳凱，胡文曉，宮毛高，劉斌，陶濤，謝自力，嚴(yán)羽，張
26200
limit2022-01-05 11:22
許福軍：AlGaN基深紫
3460
許福軍：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
34600
limit2022-01-05 09:53

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