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蔣科：寬禁帶氮化物半
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蔣科：寬禁帶氮化物半
《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測(cè)器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
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limit2022-01-10 11:08
黃火林：GaN基增強(qiáng)型H
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黃火林：GaN基增強(qiáng)型H
《GaN基增強(qiáng)型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)》作者：黃火林單位：大連理工大學(xué)光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院
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limit2022-01-10 11:07
俞冬雷：高效P型摻雜
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俞冬雷：高效P型摻雜
《高效P型摻雜鎂源特性及外延中應(yīng)用優(yōu)劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王偉，李強(qiáng)強(qiáng)，王宏波，鄭銳單位：安徽亞格盛電子新材料有限公司
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limit2022-01-10 10:57
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
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梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
《GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展》作者：梅洋，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-10 10:40
孫瑞澤：全氮化鎵集成
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孫瑞澤：全氮化鎵集成
《全氮化鎵集成器件與電路的發(fā)展與挑戰(zhàn)》作者：孫瑞澤，劉超，陳萬(wàn)軍，張波單位：電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，電子科技大學(xué)四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心
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limit2022-01-10 10:39
吳挺竹：利用ALD技術(shù)
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吳挺竹：利用ALD技術(shù)
《利用ALD技術(shù)改善mini-LED的光電與通信性能》作者：盧霆威，賴壽強(qiáng)，潘建華，陳金蘭，黃岳，葉方順，郭浩中，陳忠，吳挺竹單位：廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)系，臺(tái)灣陽(yáng)明交通大學(xué)光電工程學(xué)系
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limit2022-01-10 10:28
田朋飛：基于Micro-LE
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田朋飛：基于Micro-LE
《基于Micro-LED陣列的水下雙工可見(jiàn)光通信及水下充電系統(tǒng)》作者：林潤(rùn)澤，崔旭高，田朋飛單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-10 10:26
陳景文：高性能深紫外
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陳景文：高性能深紫外
《高性能深紫外UVC-LED研發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化》作者：陳景文，吳峰，戴江南，陳長(zhǎng)清單位：武漢光電國(guó)家研究中心，華中科技大學(xué)，湖北深紫科技有限公司
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limit2022-01-10 10:23
郭煒：III族氮化物極
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郭煒：III族氮化物極
《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應(yīng)用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強(qiáng)，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春?jiǎn)挝唬褐袊?guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，廈門(mén)大學(xué)
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limit2022-01-10 10:22
朱海：寬禁帶半導(dǎo)體微
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朱海：寬禁帶半導(dǎo)體微
《寬禁帶半導(dǎo)體微腔polariton玻色-愛(ài)因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陳智陽(yáng)，鄭湖穎，湯梓熒，王亞琪單位：中山大學(xué)
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limit2022-01-10 10:21
陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
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陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應(yīng)研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強(qiáng)單位：中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
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limit2022-01-07 15:02
Jiaying Shen: Band o
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Jiaying Shen: Band o
Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
16300
limit2022-01-07 15:01
張文輝：升華法生長(zhǎng)β
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張文輝：升華法生長(zhǎng)β
《升華法生長(zhǎng)相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 15:00
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長(zhǎng)金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門(mén)大學(xué)
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limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化鎵單晶生
790
穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
7900
limit2022-01-07 14:58
湯瀟：全溶液法沉積柔
1840
湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
18400
limit2022-01-07 14:57
張逸韻：高溫氣氛退火
890
張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對(duì)體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
8900
limit2022-01-07 14:21
朱志甫：10BN中子探測(cè)
1020
朱志甫：10BN中子探測(cè)
《10BN中子探測(cè)材料生長(zhǎng)與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
10200
limit2022-01-07 14:20
Jiaxiang Chen: Elect
1600
Jiaxiang Chen: Elect
Electrical Characterization of Vertical -Ga2O3 SBD w/o epi-layerJiaxiang Chen, Haolan Qu, Xing Lu, Xinbo ZouSchool of Information Science and Technology, ShanghaiTech University, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University
16000
limit2022-01-07 14:19
張輝：氧化鎵晶體的生
2650
張輝：氧化鎵晶體的生
《氧化鎵晶體的生長(zhǎng)、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心
26500
limit2022-01-07 14:18

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