晶圓代工廠近來積極布局第三代半導體材料氮化鎵（GaN），除龍頭廠臺積電已提供 6 吋 GaN-on-Si（硅基氮化鎵）晶圓代工服務外，世界先進 GaN 制程也預計年底送樣，聯電同樣積極投入 GaN 制程開發，攜手子公司聯穎布局高效能電源功率元件市場。
聯電投入氮化鎵制程開發，初期將以 6 吋晶圓代工為主
聯電表示，GaN 制程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵（GaAs）晶圓代工廠聯穎合作，仍處于研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。
聯穎是聯電持股 81.58% 子公司，為其新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地臺、物聯網、國防航天、光纖通訊、光學雷達，及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，去年虧損 2.79 億元，今年首季則虧損 861 萬元。
臺積電結盟意法半導體，搶攻電動車市場商機
目前包括臺積電、漢磊投控集團的晶圓代工廠漢磊科，6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工制程均已量產；臺積電今年 2 月也宣布結盟意法半導體，意法將采用臺積電的 GaN 制程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。
世界先進在 GaN 材料上已投資研發 4 年多，與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 硅基板廠 Qromis 攜手合作，著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產品驗證，初期主要瞄準電源相關應用。
