半導體產業(yè)網獲悉：3月27日，日本三墾電氣株式會社（以下稱“三墾電氣”）于董事會上決議，將耗資約13億日元（約6300萬元人民幣）收購擁有氮化鎵（GaN）外延技術自主知識產權的株式會社Powdec（總部：栃木縣小山市，法人代表：成井啟修，以下稱“Powdec”）的全部股份（以下稱“本次收購”），特此公告。本次收購預定將于2025年4月1日完成。

隨著功率半導體市場規(guī)模將持續(xù)擴大，尤其是GaN功率器件市場預計將迎來快速增長。三墾電氣在2024年中期經營計劃中提出，將化合物半導體器件作為重點發(fā)展的新技術領域，加大相關技術開發(fā)的投入力度，為實現(xiàn)業(yè)績的持續(xù)增長，積極推進相關投資。此外，在推進尖端技術的研發(fā)的基礎上，通過積極與外部企業(yè)合作，在加快研發(fā)速度的同時提高研發(fā)質量，以提升企業(yè)價值，以此作為公司的定位。

三墾電氣表示，本次收購的Powdec公司擁有多項關于PSJ（Polarization Super Junction）技術的專利，能夠實現(xiàn)高性能GaN功率器件。該公司在本公司今后重點拓展的GaN功率器件市場中，在技術力量方面擁有競爭優(yōu)勢。通過整合Powdec的先進技術，本公司可以謀求實現(xiàn)以下協(xié)同效應：通過應用于本公司的耐高壓功率模塊、功率器件，加速開發(fā)出具有相比傳統(tǒng)Si-IGBT/MOSFET更好的耐高壓、低損耗、低發(fā)熱量、高速開關特性的GaN功率器件。利用本公司在控制技術方面的優(yōu)勢，開發(fā)最優(yōu)化的GaN器件的驅動電路，并將其集成至同一封裝內，提供更便于客戶進行設計的產品。使本公司主要應用領域：汽車、白色家電、工業(yè)設備等行業(yè)的客戶的終端產品的節(jié)能、小型、輕量化成為可能。另外，在CO²減排等環(huán)保領域的貢獻也備受期待。

對于未來展望，三墾電氣表示，本次收購預計耗資約13億日元（約6300萬元人民幣）劃計入2025年年報。若本次交易產生影響本公司合并業(yè)績，需披露的重大事項時，我們將及時公告。另外，本公司將繼續(xù)加大對以化合物半導體器件領域為主的高成長領域的投資，力爭實現(xiàn)超越市場增速的發(fā)展，進一步提升企業(yè)價值。

另悉，本次三墾電氣全資收購的Powdec株式會社與國內的遠山新材料科技有限公司已建立了緊密的技術與產品合作關系，遠山公司持有Powdec核心專利“PSJ”在國內的獨家技術授權。去年12月，遠山新材曾推出了基于PSJ藍寶石基氮化鎵技術的1200V系列GaN功率器件產品。隨著作為日本電力電子與功率半導體行業(yè)龍頭企業(yè)三墾電氣正式入局GaN，相信未來中高功率氮化鎵產品將加速切入工業(yè)級應用領域。