由中科院院士、北京大學(xué)教授彭練矛和張志勇教授帶領(lǐng)團隊經(jīng)過多年的科研探索，在碳基半導(dǎo)體制備材料的研究領(lǐng)域取得了突破性進展。該科研成果近日發(fā)表在國際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》上。

 

彭練矛和張志勇教授帶領(lǐng)科研團隊，通過多次提純和維度限制自組裝方法，在四英寸基底上制備出密度高達120根/微米、半導(dǎo)體純度超過99.9999%的碳納米管平行陣列，并在此基礎(chǔ)上首次實現(xiàn)了性能超越同等柵長硅基CMOS的晶體管和電路，成功突破了長期以來阻礙碳納米管電子學(xué)發(fā)展的瓶頸，為推動碳基集成電路的實用化和工業(yè)化奠定了基礎(chǔ)。
 

相比傳統(tǒng)硅基技術(shù)，碳基半導(dǎo)體具有成本更低、功耗更小、效率更高的優(yōu)勢，因此也被視作是性能更好的半導(dǎo)體材料。隨著我國碳基半導(dǎo)體制備材料技術(shù)的突破，未來，我國在半導(dǎo)體材料、芯片、集成電路領(lǐng)域有望具有更強的國際競爭力。