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英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開辟新應用領域

日期:2020-07-14 來源:第三代半導體產業網閱讀:462
核心提示:英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其1200 V CoolSiC?MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。

【2020年7月14日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其1200 V CoolSiC™MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和傳導損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。在高開關頻率下運行時,可使用更小的磁性元件。借助英飛凌CoolSiC芯片技術,客戶可以設計尺寸更小的逆變器,從而降低整體系統成本。

它采用62mm標準基板和螺紋接口,具有高魯棒性的結構設計,從而最大限度地優化并提高系統可用性,同時降低維修成本并減少停機損失。出色的溫度循環能力和150°C的連續工作溫度(Tvjop),帶來出色的系統可靠性。其對稱的內部設計,使得上下開關有了相同的開關條件。可以選裝“預處理熱界面材料”(TIM)配置,進一步提高模塊的熱性能。

供貨情況

采用62 mm封裝的1200 V CoolSiC™MOSFET有6mΩ/ 250 A、3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型號可供選擇。它還有專為快速特性評估(雙脈沖/連續工作)而設計的評估板可供選擇。為了便于使用,它還提供了可靈活調整的柵極電壓和柵極電阻。同時,還可作為批量生產驅動板的參考設計使用。更多信息,請訪問:www.infineon.com/sic-mosfet-modules,www.infineon.com/SiC。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2019財年(截止9月30日),公司的銷售額達80億歐元,在全球范圍內擁有約41,400名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場 OTCQX International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來,英飛凌的業務取得非常迅速的增長,在中國擁有約2000名員工,已經成為英飛凌全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈,并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。

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