半導體行業發展的一大推動力，就是“始終連接設備”的爆發式增長。這些設備需要內置的芯片，才能完成相應的計算、通信或控制。隨著物聯網（IoT）擴展到數十億計的設備，芯片制造商也需要為客戶開發出兼顧成本效益的低功耗工藝節點，以將之推向一個全新的水平。在 2020 年度的技術研討會上，臺積電就公布了該公司最新的 N12e 工藝節點的細節。

（來自：TSMC）

由路線圖可知，臺積電的低電功耗、低泄漏平臺，主要圍繞流行工藝節點進行技術優化。過去十年，臺積電在 90nm、55nm、40nm 和 22nm 節點上，都有推出過相應的低功耗版本。

每一次的迭代，都可帶來管芯面積和功耗的降低，以及針對特定需求的其它優化。不同的是，此前的技術都是在平面上展開，而新一代 N12e 工藝卻基于面向未來的 FinFET 。

在類似的情況下，FinFET 的構建工作，將較平面晶體管要復雜得多，成本的上升已是必然。不過在 FinFET 技術帶來的制程縮放和功耗控制的優勢面前，市場仍對其抱有濃厚的興趣。

為求穩妥，臺積電也沒有在很早的時候就推出 FinFET 。而是在等待了數代之后，才將其最先進的 FinFET 設計部署到了 IoT 市場，以便行業有足夠的時間來應對設計制造上的過渡緩沖。

與 22ULL 工藝節點相比，臺積電承諾 N12e 可在同等功耗水平下將頻率提升至 1.49 倍、或將同頻下的功耗降低 55%，更別提增加了 1.76 倍的邏輯密度、以及支持 0.4V 的低電壓。

換言之，N12e 將臺積電面向 IoT 產品的芯片制程擴展到了更低的功率范圍，并且在其它功率水平下也可帶來更好的性能表現。

其匯聚了臺積電在 16nm 工藝上積累的經驗、并融入了 12FFC+ 的改進，兩者均已被廣泛應用于高性能計算。

臺積電相信，N12e 將為 AI 加速器提供低功耗支撐，讓下一代 5G IoT 邊緣設備更加普及，從而推動語音識別、健康監測、機器視覺等領域的發展。

最后，格羅方德的 12FDX 平臺，將成為 N12e 的主要競爭對手。前者建立在該公司的 12nm FD-SOI 技術之上，較同級 FinFET 設計具有更低的功耗和成本。

來源：cnBeta.COM