深科技發布2020年度非公開發行A股股票預案，公司擬非公開發行不超89,328,225股股票，募資不超171,000萬元，扣除發行費用后將全部用于存儲先進封測與模組制造項目。
據披露，存儲先進封測與模組制造項目總投資306,726.40萬元，其中建設投資296,471.17萬元，鋪底流動資金10,255.23萬元。項目建設周期為36個月，主要建設內容為：
（1）DRAM存儲芯片封裝測試業務，計劃全部達產后月均產能為4,800萬顆
（2）存儲模組業務，計劃全部達產后月均產能為246萬條模組
（3）NANDFlash存儲芯片封裝業務，計劃全部達產后月均產能為320萬顆
本項目技術來源于沛頓科技自主研發與長期積累，沛頓科技存儲芯片封裝制程采用的是當前高端產品的主流技術，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系統級SiP封裝技術等，現有產品已實現多達16層的多晶堆疊技術，最大單顆芯片容量可達到256G。
沛頓科技具備DDR4封裝和測試技術，采用的BGA、LGA等封裝技術優勢明顯，產品合格率高，交貨周期快，產品質量穩定，領先于國內其他競爭對手；沛頓科技的日本研發團隊開發測試方案和程式，提供定制化服務的支持，技術工藝競爭優勢明顯。
深科技表示，隨著本次募投項目的實施，有利于打破國內存儲器領域對進口產品的依賴和技術壁壘，加速存儲器國產化替代進程，提升國產存儲器芯片的產業規模，促進我國存儲器產業鏈發展。
本項目實施后，可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以及DRAM內存模組制造業務，有助于國內存儲器芯片封測的深度國產化。公司根據客戶整體產能建設的需要，契合客戶業務布局，對公司建立長期穩定的客戶關系起到積極作用。客戶產能的逐步提升將直接帶動公司集成電路封測業務的訂單增加。本次募投項目實施后的新增產能加上公司現有產能，將為存儲器芯片國產化提供保障。
