11月23-25日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開(kāi)。
24日上午，德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司協(xié)辦的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)”分會(huì)如期舉行。分會(huì)期間，日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，上海光學(xué)精密機(jī)械研究所研究員夏長(zhǎng)泰，湖北大學(xué)材料工程學(xué)院教授何云斌，西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)，鄭州大學(xué)教授、河南省電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室國(guó)家電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合研究中心主任劉玉懷，德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司市場(chǎng)和工藝部門經(jīng)理方子文，山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副教授張雷，中國(guó)電科十三所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王元?jiǎng)偟葋?lái)自國(guó)內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表將帶來(lái)精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員，中國(guó)科學(xué)院院士劉明和山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、教授陶緒堂共同主持了本屆分會(huì)。
日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新分享了超寬帶隙氧化鎵的低溫生長(zhǎng)和表征的研究成果。報(bào)告分享了氧等離子體輔助PLD低溫生長(zhǎng)（AlGa）2O3薄膜。研究了襯底溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響。此外，還將介紹這些超寬氧化物半導(dǎo)體生長(zhǎng)的最新進(jìn)展。
上海光學(xué)精密機(jī)械研究所研究員夏長(zhǎng)泰分享了極寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵單晶摻質(zhì)之實(shí)踐與思考。報(bào)告討論了在這一方面的具體實(shí)踐，并就其未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)予以探討。主要討論氧化鎵的n型新?lián)劫|(zhì)方案及其結(jié)果，重點(diǎn)是摻質(zhì)氧化鎵的基本物理特性及其應(yīng)用價(jià)值。
湖北大學(xué)材料工程學(xué)院教授何云斌帶來(lái)了“高性能基于氧化鎵的日盲光電探測(cè)器的開(kāi)發(fā)”的主題報(bào)告，從Ga2O3外延薄膜的制備、特性及PDs研究，基于超寬帶隙（ScGa）2O3合金薄膜的UV-PDs等角度分享了最新研究進(jìn)展。
西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)分享了磁控濺射沉積hBN薄膜的最新進(jìn)展。研究采用射頻濺射法制備了基于hBN/BAlN薄膜的深紫外DBRs。還研究了不同材料氮化硼薄膜的異質(zhì)結(jié)特性。
鄭州大學(xué)教授、河南省電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室國(guó)家電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合研究中心主任劉玉懷分享了金剛石襯底上六方相氮化硼薄膜的有機(jī)金屬氣相外延的最新進(jìn)展。六方相氮化硼和金剛石均為下一代電子器件和光電子器件的優(yōu)異材料，二者的結(jié)合可望帶來(lái)更佳特性，但鮮見(jiàn)金剛石上生長(zhǎng)六方相氮化硼的報(bào)道。研究首次展示利用有機(jī)金屬氣相外延方法在金剛石襯底上生長(zhǎng)六方相氮化硼薄膜。
德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司市場(chǎng)和工藝部門經(jīng)理方子文分享了先進(jìn)的光電、功率和射頻技術(shù)解決方案。
山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副教授張雷分享了溫度梯度對(duì)PVT法生長(zhǎng)AlN晶體的影響，從高純多晶料制備、溫場(chǎng)調(diào)控、生長(zhǎng)功率對(duì)溫度場(chǎng)分布的影響規(guī)律、測(cè)溫孔對(duì)溫度場(chǎng)分布的影響規(guī)律、坩堝位置對(duì)溫度場(chǎng)分布的影響規(guī)律、自發(fā)成核生長(zhǎng)驗(yàn)證、籽晶粘結(jié)同質(zhì)生長(zhǎng)擴(kuò)徑、高溫壓電性能研究等角度分享了研究進(jìn)展。
中國(guó)電科十三所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王元?jiǎng)値?lái)了“高性能Ga2O3 SBD功率器件研究”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。報(bào)告指出，超寬禁帶氧化鎵功率器件兼?zhèn)涓吣蛪骸⒌碗娮韬偷统杀救貎?yōu)勢(shì)，是未來(lái)支撐軌道交通、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心電子元器件。PECVD淀積介質(zhì)存在較為嚴(yán)重的界面態(tài)，場(chǎng)板技術(shù)無(wú)法充分發(fā)揮作用。通過(guò)引入熱氧化技術(shù)、自對(duì)準(zhǔn)空氣橋技術(shù)以及自氧化P型NiO技術(shù)，大幅提升氧化鎵SBD功率器件耐壓性能。探索新型高耐壓終端結(jié)構(gòu)改善器件耐壓、降低比導(dǎo)通電阻、增大器件耐受功率以及尋求器件散熱新途徑是未來(lái)氧化鎵功率器件發(fā)展的主要攻關(guān)方向。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
