期間，德國愛思強(qiáng)股份有限公司協(xié)辦的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)”分會(huì)上，上海光學(xué)精密機(jī)械研究所研究員夏長(zhǎng)泰分享了極寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵單晶摻質(zhì)之實(shí)踐與思考。高品質(zhì)氧化鎵單晶之制備及其性能調(diào)控是實(shí)現(xiàn)氧化鎵半導(dǎo)體材料與器件應(yīng)用的基礎(chǔ)，其中高質(zhì)量、高效摻質(zhì)技術(shù)是關(guān)鍵之一。氧化鎵半導(dǎo)體的禁帶極寬，n型半導(dǎo)體特性比較容易實(shí)現(xiàn)，目前已有幾種方案可選；然而，p型摻質(zhì)方案尚在積極探索中。報(bào)告討論了在這一方面的具體實(shí)踐，并就其未來發(fā)展趨勢(shì)予以探討。主要討論氧化鎵的n型新?lián)劫|(zhì)方案及其結(jié)果，重點(diǎn)是摻質(zhì)氧化鎵的基本物理特性及其應(yīng)用價(jià)值。

夏長(zhǎng)泰博士是我國共晶轉(zhuǎn)光材料研究之先行者，正積極推進(jìn)該項(xiàng)研究在激光照明中的應(yīng)用；自2004年底，即開始了氧化鎵單晶體材料之研究，他提出了氧化鎵晶體材料n型半導(dǎo)體摻質(zhì)新方案，相關(guān)工作得到了國內(nèi)外同行的關(guān)注和肯定。2017年，夏長(zhǎng)泰研究員發(fā)起召開了我國首屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會(huì)，并積極呼吁：“在新時(shí)代，研究人員應(yīng)提高專利意識(shí)。”

 

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