近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協辦的功率電子器件及封裝技術分會上，北京大學尹瑞苑博士做了題為“氮化鎵MIS結構界面相關陷阱態：物性、表征及模型”的主題報告，D模式故障中的陷阱、門槽事故中的陷阱、MIS結構建模等角度分享了最新研究成果。
報告指出，界面性質是影響MIS結構的重要因素，可以通過AFM、XPS、TEM、EDX等手段進行檢測。邊界陷阱可以通過低頻噪聲、交流gm、準靜態電容、閾值電壓漂移測量來評估。同時考慮溝道電阻和邊界陷阱效應的分布式網絡模型很好地描述了大溝道電阻MIS二極管的阻抗頻散特性。
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