近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開。
期間，由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)上，電子科技大學(xué)教授周琦分享了基于超薄勢壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)與混合陽極二極管技術(shù)的微波混頻器與功率整流器的最新進(jìn)展。
GaN在快充、LiDAR、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域已有廣泛應(yīng)用，報(bào)告詳細(xì)介紹了三代GaN混合陽極二極管的狀況，并指出，實(shí)際應(yīng)用推動(dòng)了GaN功率器件技術(shù)的發(fā)展。GaN二極管在分立器件和功率集成中都有重要作用。
周琦專注于第三代寬禁帶新型半導(dǎo)體材料、器件及其集成技術(shù)的研究，尤其在氮化鎵（GaN）功率器件新結(jié)構(gòu)、模型/器件物理、先進(jìn)制備工藝與GaN功率集成技術(shù)領(lǐng)域具有較好的研究基礎(chǔ)。開發(fā)出一款硅基GaN（GaN-on-Si）柵控橫向功率整流器新結(jié)構(gòu)，器件性能達(dá)到國際報(bào)道的同類器件最高水平。開發(fā)出一種高效、低損傷原子層刻蝕技術(shù)，利用該技術(shù)制備的增強(qiáng)型GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）器件性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。研究成果發(fā)表于行業(yè)頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Trans. on Electron Devices》、《IEEE Microwave and Wireless Components Letter》及國際頂級會(huì)議IEDM、ISPSD。研究成果被功率半導(dǎo)體世界最著名學(xué)者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美國國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)獲得者)發(fā)表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Review Paper及中國科學(xué)院院士郝躍教授的綜述性文章作為高壓 InAlN/GaN HEMT的代表性工作所引用。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
