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年產(chǎn)36萬(wàn)片砷化鎵/氮化鎵微波射頻芯片!立昂微5億元設(shè)子公司,推進(jìn)微波射頻項(xiàng)目

日期:2021-01-05 來(lái)源:化合物半導(dǎo)體閱讀:517
核心提示:近日,杭州立昂微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱立昂微)發(fā)布公告,投資5億元在浙江海寧市設(shè)子公司,海寧立昂東芯微電子有限公司(
近日,杭州立昂微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“立昂微”)發(fā)布公告,投資5億元在浙江海寧市設(shè)子公司,海寧立昂東芯微電子有限公司(暫定名,以下簡(jiǎn)稱“海寧公司”)。專項(xiàng)負(fù)責(zé)推進(jìn)、實(shí)施微波射頻集成電路芯片項(xiàng)目。
 
據(jù)公告稱,該項(xiàng)目選址在海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)東區(qū)紅獅產(chǎn)業(yè)園地塊,總用地約200畝,項(xiàng)目總投資約 43 億元,其中設(shè)備投資 36.05 億,土地及生產(chǎn)、動(dòng)力、環(huán)境等各類廠房投資 3.8 億, 流動(dòng)資金和其他配套投資 3.15 億。

值得注意的是,該項(xiàng)目建成后預(yù)計(jì)年產(chǎn) 36 萬(wàn)片 6 英寸砷化鎵/氮化鎵微波射頻集成電路芯片。其中包括年產(chǎn) 18 萬(wàn)片砷化鎵 HBT 和 pHEMT 芯片,年產(chǎn) 12 萬(wàn)片垂直腔面發(fā)射激光器 VCSEL 芯片,年產(chǎn) 6 萬(wàn)片氮化鎵 HEMT 芯片。
 
該項(xiàng)目由海寧公司在五年內(nèi)分階段實(shí)施,其中第一階段工程 18 萬(wàn)片/年,第二階段工程 18 萬(wàn)片/ 年。
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