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富能功率半導體項目規劃總占地面積630畝，共分三期建設，據了解，富能功率半導體項目生產的各類晶體管產品，可廣泛應用于消費電子、新能源裝備和汽車電子等領域。根據此前的資料，富能功率半導體項目是濟南市2020年重點項目名單，項目規劃建設月產10萬片的兩座8英寸廠及一座月產5萬片的12英寸廠，第一期投入60億元。

 

本次投產的8英寸廠為項目一期，2019年開工建設，2020年12月底首條產線建設完畢。項目第一期一階段投產后將有望達到年產36萬片8英寸硅基功率器件(MOSFET Super Junction IGBT)和1萬片6寸碳化硅功率器件(SIC MOSFET)的生產能力。

 

濟南日報指出，這將顯著提升濟南芯片制造產業發展實力，為“工業強市”戰略注入強勁動力的同時，還將打破國外壟斷，實現國產芯片的有效替代。

 

據了解，濟南富能半導體有限公司成立于2018年11月，是一家致力于深耕半導體產業的IDM公司，專注半導體能源器件、芯片及模組產品的開發和生產。濟南網2020年6月曾報道，未來五年，富能將從高端硅和碳化硅等產品切入市場，有效實現進口替代，五年后年營業額達100億人民幣，力爭在10年內達到國際一流半導體生產企業水平。