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第一期投入60億元!富能功率半導體8英寸項目一期實現產品下線

日期:2021-01-29 來源:第三代半導體產業網閱讀:391
核心提示:這標志著山東首條芯片加工制造線進入實際生產階段,補齊了全省集成電路產業的短板。
據濟南日報報道,1月27日,富能功率半導體8英寸項目一期實現產品下線,標志著山東首條芯片加工制造線進入實際生產階段,補齊了山東省集成電路產業的短板。
資料顯示,濟南富能半導體有限公司成立于2018年11月,是一家致力于深耕半導體產業的IDM公司,專注半導體能源器件、芯片及模組產品的開發和生產。濟南網2020年6月曾報道,未來五年,富能將從高端硅和碳化硅等產品切入市場,有效實現進口替代,五年后年營業額達100億人民幣,力爭在10年內達到國際一流半導體生產企業水平。
 
富能功率半導體項目規劃總占地面積630畝,共分三期建設。富能功率半導體項目生產的各類晶體管產品,可廣泛應用于消費電子、新能源裝備和汽車電子等領域。根據此前的資料,富能功率半導體項目是濟南市2020年重點項目名單,項目規劃建設月產10萬片的兩座8英寸廠及一座月產5萬片的12英寸廠,第一期投入60億元。
 
本次投產的8英寸廠為項目一期,2019年開工建設,2020年12月底首條產線建設完畢。項目第一期一階段投產后將有望達到年產36萬片8英寸硅基功率器件(MOSFET Super Junction IGBT)和1萬片6寸碳化硅功率器件(SIC MOSFET)的生產能力。2020年12月底首條生產線建設完畢,2021年1月27日實現產品下線。
 
這標志著山東首條芯片加工制造線進入實際生產階段,補齊了全省集成電路產業的短板。將顯著提升濟南芯片制造產業發展實力,為“工業強市”戰略注入強勁動力的同時,還將打破國外壟斷,實現國產芯片的有效替代。
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