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資本加速涌入SiC和GaN領域

日期:2021-02-05 來源:businesskorea閱讀:382
核心提示:韓國貿易工業和能源部(MOTIE)宣布計劃增加對國內SiC和GaN業務的投資支持。
 近日,韓國貿易工業和能源部(MOTIE)宣布計劃增加對國內SiC和GaN業務的投資支持。此外,SK集團最近加強了對化合物半導體的投資。預計隨著公司和政府投資的結合,SiC和GaN市場將加速增長。
 
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體市場將看到加速增長的趨勢。2月1日,MOTIE宣布,它將加大對研發和基礎設施擴展的支持,以從2021年起搶占全球SiC和GaN市場。
 
同時,國內公司也開始進行一系列相關投資。1月28日,SK集團向YEST的子公司Yes Power Technix投資了268億。Yes Power Technix成立于2017年,研究和開發SiC器件,其100mm和150mm生產線的SiC晶圓年生產能力為14,000片/年。此外,SK Group的SK Siltron最近收購了杜邦的SiC晶圓業務。
 
由于帶隙大于傳統Si半導體的3倍,因此SiC和GaN半導體每單位面積可承受的電壓是傳統半導體的10倍。作為參考,GaN和SiC的帶隙分別為3.4 eV和3.2 eV,遠高于當前使用的Si的1.1 eV。
 
SiC / GaN技術的進步允許使用更小,更節能的芯片和更高的電流速率。展望未來,SiC的采用有望在DC-DC轉換和車載充電,工業應用中的功率因數校正以及太陽能逆變器中加速應用。在與SiC有關的行業中,重點企業包括韓國的RFHIC,metal Life,Silicon Works和YEST,以及海外的Cree,Veeco,意法半導體和Rohm。
 
GaN和SiC時代即將到來
 
預計到2029年,化合物功率半導體市場將增長五倍以上。對于5G設備,電動汽車和工業設施(包括太陽能設施)中的SiC和GaN等化合物半導體的使用需求正在急劇增加。
 
從2021年開始,化合物功率半導體市場將迅速增長。
 
包括SiC(4H-SIC)和GaN在內的下一代化合物功率半導體市場的增長現在已經開始。市場研究公司Yole預測,到2024年,SiC功率半導體市場將以29%的復合年增長率增長,達到20億美元。相關的受益方應該包括美國的Cree,意法半導體和Veeco,以及韓國的RFHIC。
 
晶圓生產技術對于GaN和SiC半導體的生產至關重要。
 
化合物半導體已開始用于5G設備,工業設施,電動汽車和太陽能等行業。近來,GaN晶體管已被大量用于智能電話和筆記本電腦的充電適配器。此外,現代汽車集團在其最近宣布的E-GMP中采用了SiC半導體。
 
在化合物半導體的生產中,晶圓生產技術很重要。通過使用有機金屬CVD(MOCVD)設備在襯底上生長GaN外延層來制造GaN半導體。SiC外延片是通過在多層晶圓上沉積幾微米厚的SiC單晶層而制成的。SiC晶圓由Cree,Infineon和Rohm等許多公司生產。在韓國,收購了杜邦(Dupont)SiC晶圓部門的SKSiltron正在對該行業進行投資。SiC晶圓現在供不應求。
 
Cree計劃到2024年將SiC產能提高30倍,并為其GaN業務投資10億美元。ST Micro的SiC芯片組相關銷售額在2019年達到2億美元,目標是到2025年達到10億美元。
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