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33W GaN快充“殺”出江湖 國內氮化鎵IDM企業加速布局

日期:2021-04-09 來源:集微網閱讀:231
核心提示:硝煙彌漫的迷你快充市場再掀風云。繼火爆的20W迷你快充之后,33W氮化鎵迷你快充也開始“殺”入江湖。
硝煙彌漫的迷你快充市場再掀風云。繼火爆的20W迷你快充之后,33W氮化鎵迷你快充也開始“殺”入江湖。
 
從頭部手機廠商的動作來看,繼小米、OPPO、華為等相繼標配GaN快充之后,蘋果也“坐不住了”。今年年初便有消息傳出,蘋果也將入局GaN快充市場。市場分析認為,蘋果入局氮化鎵快充的首款產品將會是30W GaN快充。
 
需求即意味著機遇,GaN快充上游廠商早已吸引了不少企業進行了相關布局。而于此之中,作為氮化鎵IDM企業的英諾賽科,可謂是一個“最靚的仔”,布局速度與深度頗受關注。
 
二代新品迅速成為市場焦點
 
2021年初,英諾賽科就率先在InnoGaN領域激起浪花——第二代新品INN650DA04正式面世。簡單來說,INN650DA04具備高頻高效、極低損耗、快速主動散熱等特點,而且采用了DFN5*6進行封裝,借此實現了產品小體積、高效率的優勢,迅速成為市場焦點。
 

 
單從效率來看,INN650DA04在90AC、115AC、230AC、264AC的輸入電壓下均能達到92%以上的效率,比目前市面上主流的20W硅方案提升3%左右。
 
與此同時,英諾賽科基于該解決方案開發出了一款33W超迷你氮化鎵快充參考設計,其尺寸僅為蘋果5W充電器大小。
 
從圖片上看,該參考設計外形小巧,內部結構精簡。值得一提的是,這款參考設計不僅滿足最大33W快充輸出,而且在溫升和EMI等方面也已符合安規要求,解決了快充電源廠商在產品開發過程中的兩大難點,可以幫助客戶加速產品量產,搶占市場。
 
 
穩定的供貨優勢
 
2020下半年以來,缺“芯”風波席卷而來,并影響著不少行業的正常生產。在這其中,功率半導體也不能幸免。可以預期,未來一段時間供貨穩定、可靠將是市場需求方最重要的訴求。
 
英諾賽科的第二代新品INN650DA04則完全實現了核心技術的自主可控,供貨穩定性得到了根本性保障。在產品定價上,英諾賽科INN650DA04采取了戰略性定價方式,為客戶帶來先進技術產品,十分具有市場競爭力。
 
另一方面,成立于2015年的英諾賽科,致力于研發和生產8英寸硅基氮化鎵功率器件與射頻器件,目前已成為全球最大的氮化鎵功率器件IDM 企業之一。2017年11月,英諾賽科率先建成了8英寸硅基氮化鎵量產線,產品涵蓋30-100V的低壓GaN器件、650V及以上的高壓GaN器件。最新消息顯示,其蘇州FaB基地也將于今年6月通線投產,滿產后將實現月產8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片。
 
可以預見,該產品的推出及量產或在一定程度上解快充產業鏈供應緊張的局面。
 
英諾賽科相關人士透露,INN650DA04一經推出便獲得眾多電源廠商青睞,目前累計訂單已經突破2kk,并不斷有新客戶陸續下單。蘋果30W氮化鎵快充一旦面世,預計該款氮化鎵器件的每月訂單量將直奔5kk,成為2021年下半年功率器件領域的現象級爆款。
 
30W氮化鎵快充風口已至,InnoGaN注定要在缺“芯”風波之際刮起一陣自主之風。 
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