日前，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，電氣與電子工程師協(xié)會(IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎，表彰公司在超級集成硅柵半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的開創(chuàng)性研究成果。意法半導(dǎo)體的BCD技術(shù)可以單片集成雙極工藝高精度模擬晶體管、CMOS工藝高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，適合復(fù)雜的、有大功率需求的應(yīng)用。多年來，BCD工藝技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動器、打印機和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用取得了顛覆性發(fā)展。
在意法半導(dǎo)體Agrate工廠舉行的現(xiàn)場 / 線上揭牌儀式上，IEEE意大利分部人道主義活動委員會協(xié)調(diào)員兼前任秘書Giambattista Gruosso和意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery共同揭開了IEEE里程碑牌匾。
該牌匾將放置在意法半導(dǎo)體在意大利米蘭市近郊的兩個曾經(jīng)承擔(dān)多硅柵多功率BCD開發(fā)工作的意大利布里安札的Agrate工廠和意大利米蘭Castelletto工廠的大門口。
牌匾上寫著：
IEEE里程碑
單片多硅技術(shù)，1985年
SGS(現(xiàn)為意法半導(dǎo)體)率先采用單片集成雙極型晶體管、CMOS晶體管和DMOS晶體管(BCD)的超級集成硅柵極工藝，解決復(fù)雜的、有大功率需求的應(yīng)用設(shè)計難題。首個BCD超級集成電路L6202可以控制最高60V-5A的功率，開關(guān)頻率300kHz。隨后的汽車、計算機和工業(yè)自動化廣泛采用了這項工藝技術(shù)，讓芯片設(shè)計人員能夠靈活、可靠地單片集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。
IEEE于1983年建立了里程碑計劃，以表彰在獨特產(chǎn)品、服務(wù)、有影響力的論文和專利中造福人類的技術(shù)創(chuàng)新和卓越成就。每一個里程碑獎都代表了一項至少是25年前在IEEE代表的技術(shù)領(lǐng)域產(chǎn)生的至少具有地區(qū)影響力的重要技術(shù)成就。目前，IEEE在全球范圍內(nèi)批準(zhǔn)并頒發(fā)了大約220塊IEEE里程碑牌匾。
在上個世紀(jì)八十年代初期，意法半導(dǎo)體工程師開始尋找可靠的方法解決各種電子應(yīng)用問題，并第首先在一顆單芯片上集成異質(zhì)晶體管和異質(zhì)二極管。工程師著眼于多個細(xì)分市場的客戶需求，著力于在數(shù)字邏輯的控制下提供數(shù)百瓦的電力，而且控制邏輯技術(shù)遵循摩爾定律。目標(biāo)器件還將支持精確的模擬功能，并最大程度地降低功耗，無需使用散熱器。
這些研發(fā)活動最終產(chǎn)生了一種新的集成硅柵技術(shù)。這種被稱為BCD (雙極、CMOS、DMOS) 的技術(shù)利用復(fù)雜的互連方法在單個芯片上集成二極管、雙極線性晶體管、復(fù)雜CMOS邏輯和多個DMOS功率晶體管。BCD首個芯片是L6202電動機全橋驅(qū)動器，工作電壓60V，電流1.5A，開關(guān)頻率300kHz，達到所有設(shè)計目標(biāo)。這個新的可靠工藝技術(shù)讓芯片設(shè)計人員能夠在單個芯片上靈活地集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。
從推出BCD工藝至今，意法半導(dǎo)體已經(jīng)售出400多億顆硅柵多功率BCD器件/芯片，第十代BCD技術(shù)即將開始投產(chǎn)。在歐洲和亞洲，意法半導(dǎo)體前后工序制造工廠的這項BCD技術(shù)廣泛用于汽車子系統(tǒng)、智能手機、家用電器、音頻放大器、硬盤、電源、打印機、微型投影儀、照明、醫(yī)療設(shè)備、電動機、調(diào)制解調(diào)器、顯示器等。
