高壓SiC MOSFET器件是中國電科四大重點業務板塊之一——“產業基礎”板塊中的重要組成部分。中國電科55所李士顏和團隊一起填補了我國在該領域多項技術空白，為超高壓SiC器件在裝備應用提供了技術支撐。

 

研發過程中，沒有充足的可借鑒研究文獻，遇到困難的李士顏并沒有坐以待斃，通過采用多套技術方案相互迭代驗證的途徑，經歷了多次“失敗，改進，再失敗，再改進”的過程，最終，實現了高效、高穩定性的高壓終端保護技術攻關。2021年，他作為技術骨干參與的“SiC MOSFET電力電子器件”入選國資委十大國有企業數字技術成果。

 

李士顏從團隊的融入者轉變為領頭人用了5年時間，在入職之初，他扎根生產一線，接觸了具有豐富工藝經驗的前輩和老師傅，加深了對器件工藝技術的理解，迅速熟悉了工藝流程；他虛心請教支部有豐富研發經驗的黨員領導和同事，在方案制定，難點攻關上得到了指導，迅速積累在該領域的研發經驗；在第三代半導體國創中心籌建中，他和團隊克服了周期緊、任務重的困難，完成了建設方案、技術方案、設備方案的系統調研和實施方案設計，保障了籌建任務節點。

 

他所負責的高壓電力電子器件，在先進裝備、軌道交通、智能電網等領域具有廣泛的應用前景。國產SiC MOSFET器件領域的技術進步離不開勇攀高峰、敢為人先的創新精神，他有信心、也有能力為實現科技自立自強貢獻自己的青春力量。

 

原標題：《李士顏：第三代半導體碳化硅高壓領域的前行者 | 學黨史·好榜樣》