突破碳化硅“卡脖子”技術！年產5000片中科漢韻SiC器件項目通線
日前，江蘇中科漢韻半導體有限公司SiC功率器件項目通線儀式在開發區鳳凰灣電子信息產業園舉行。據報道，該項目的正式通線，對徐州市和開發區集成電路產業特別是第三代半導體產業發展具有重大的意義。
這標志著我國企業突破了碳化硅芯片設計和工藝制造國產化中的一系列重大“卡脖子”技術！
據了解，項目一期建設面積2.1萬平方米，全面達產后，年產能將達到5000片碳化硅功率器件等分立半導體器件。
項目從設備進場到通線僅花費約六個月時間，對于設備，中科漢韻董事長袁述表示，設備從光刻機到薄膜，到刻蝕化學腐蝕離子注入等等，都是比較先進的。
據悉，中科漢韻二期項目計劃2021年開始實施，全新配置6寸工藝線，或將成為國內首家規模化生產碳化硅MOSFET芯片和模塊的企業。
SiC憑借高擊穿場強、熱穩定性、高電子飽和速度及禁帶寬度等能夠大大提高功率器件的性能表現。
碳化硅功率器件的主要優勢
1、耐高溫，耐高壓。
理論上可承受600℃以上，是硅基功率器件的四倍；
2、優化器件尺寸和重量。
碳化硅器件擁有更高的熱導率和功率密度，能夠簡化散熱系統，從而實現器件的小型化和輕量化；
3、低損耗、高頻率。
碳化硅器件的工作頻率可達硅基器件的10倍，而且效率不隨工作頻率的升高而降低，可以降低近50%的能量損耗；同時因頻率的提升減少了電感、變壓器等外圍組件體積，全面縮小系統體積，降低成本。
