日前，應(yīng)用材料公司宣布推出一種全新的先進(jìn)邏輯芯片布線工藝技術(shù)，可微縮到3納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

 

據(jù)應(yīng)用材料介紹，其開發(fā)了一種名為Endura? Copper Barrier Seed IMS?的全新材料工程解決方案。這個(gè)整合材料解決方案在高真空條件下將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計(jì)量這七種不同的工藝技術(shù)集成到一個(gè)系統(tǒng)中。

 

圖片來源：應(yīng)用材料

 

其中，ALD選擇性沉積取代了ALD共形沉積，省去了原先的通孔界面處高電阻阻擋層。解決方案中還采用了銅回流技術(shù)，可在窄間隙中實(shí)現(xiàn)無空洞的間隙填充。通過這一解決方案，通孔接觸界面的電阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，邏輯微縮也得以繼續(xù)至3納米及以下節(jié)點(diǎn)。

 

應(yīng)用材料表示，這種獨(dú)特的整合解決方案旨在幫助客戶改善性能、功率和面積成本。Endura Copper Barrier Seed IMS系統(tǒng)現(xiàn)已被客戶運(yùn)用在全球領(lǐng)先的邏輯節(jié)點(diǎn)代工廠生產(chǎn)中。