日本是半導體材料強國，行業地位強勢。據了解，全球生產半導體所需的必備材料共19種，其中14種日本都占據了50%的市場。

 

而在日前，日本半導體行業傳來一則好消息，預示著日本在新一代功率半導體材料的競爭中，又一次走到了世界的前列。

 

據6月16日日媒傳來的消息稱，日本Novel Crstal Technology（以下簡稱NCT）成功量產100mm（4英寸）氧化鎵晶圓，這還是全球首次。據了解，NCT將于今年年內向客戶供應100mm晶圓。

 

這一成就，再一次顯示出日本半導體材料領域的強大。并且，這還讓日本在未來競爭之中更具優勢。

 

據了解，氧化鎵是第四代半導體材料之一，是一種超寬帶半導體材料。氧化鎵具有抗高溫、大功率、抗輻射等優勢。

同第三代半導體材料氮化硅相比，氧化鎵的擊穿場強是其3.2倍，巴利加優值是其近10倍，在禁帶寬度上氧化鎵也更具優勢，在4.9-5.3eV。

 

并且，氧化鎵能夠更高效的控制電力。作為功率半導體材料，工業設備、純電動車等大電流控制用途的零部件，是氧化鎵的主要陣地，其氧化鎵的這一特質讓它能發揮出更出色的表現。

 

不僅如此，氧化鎵晶圓的價格還比碳化硅更實惠，畢竟氧化鎵的成本只有碳化硅的1/8。因此，若是氧化鎵晶圓能大面積應用，有望降低電子設備的成本，拉低產品價格。

 

由此不難看出，氧化鎵的各項優勢都十分明顯。未來，氧化鎵有望在新能源汽車、工業電機、國防軍工等領域大展身手。

 

如今，日本企業率先實現100mm氧化鎵晶圓量產，這表示其已經在新一輪競爭之中獲得了領先優勢。

 

同時這也預示著，在龐大的功率半導體市場之中，日本企業的發展有望更進一步，保持住自身“功率半導體大國”的位置。日本有望進一步強化其在功率半導體上的優勢地位，穩住自身行業領先位置。

 

面對日本半導體的又一次進步，我國必須加以警醒。

 

中國在半導體產業上本就落后于人，而且如今全球貿易環境不確定性增加，中國更是應該加快芯片發展的腳步，擺脫對外資企業的依賴。

 

只有這樣，國產芯片才能實現獨立自主，不會輕易被“卡脖子”。希望我國半導體產業也能有更多好消息傳來。