英飛凌大中華區電源與感測系統事業部協理陳志星日前表示，SiC、GaN等新材料產品，公司旗下已有CoolSiC、CoolGaN系列產品線走入量產，未來從目前主流的6英寸廠轉到8英寸晶圓廠生產則是國際大廠看好的共同趨勢。
據digitimes報道，陳志星指出，SiC、GaN相關寬能隙(WBG)功率元件價格已經出現很大的降幅，但成本仍是打開市場的關鍵，SiC/GaN兩者之間價差不大，但與Si（硅）產品之間的落差確實存在，英飛凌則預期，在經濟規模、產能投資、良率控制等推進下，成本可望有效下降，預期3~5年后有機會把成本降到跟硅基元件相仿的程度，后段制程技術也持續推進。
從英飛凌的產能規劃上來看，該公司領先業界率先以12英寸晶圓廠生產硅基功率元件，SiC材料已經問世20多年，GaN則是近年來較受重視，SiC以往以2、4英寸廠生產，現今走到主流的6英寸，未來走到8英寸廠生產是相當正常的。
