意法半導(dǎo)體（ST）11 日宣布，瑞典Norrköping 工廠制造出首批8 吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓；將SiC 晶圓升級(jí)到8 吋代表ST 對(duì)汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃獲得階段性成功，且提升功率電子芯片輕量化和能效，并降低客戶獲取產(chǎn)品成本。

 

意法半導(dǎo)體汽車和離散元件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示，汽車和工業(yè)市場正在加速推動(dòng)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的進(jìn)程，升級(jí)到8 吋SiC 晶圓將為ST 的汽車和工業(yè)客戶帶來巨大優(yōu)勢；藉由覆蓋在SiC 生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)域累積的深厚專業(yè)知識(shí)，可提升ST 的制造彈性，還能更有效地控制晶圓良率和改善品質(zhì)。

 

ST 先進(jìn)的量產(chǎn)碳化硅STPOWER SiC 目前由意大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6 吋晶圓廠完成前段制程制造，后段制程制造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進(jìn)行。這個(gè)階段性的成功是ST 布局更先進(jìn)、高成本效益之8 吋SiC量產(chǎn)計(jì)劃的一部分；ST 正在執(zhí)行新建碳化硅基板廠和內(nèi)部采購碳化硅基板比重超過40% 的計(jì)劃（到2024 年）。

 

據(jù)悉，ST 首批8 吋SiC 晶圓品質(zhì)十分優(yōu)良，對(duì)芯片良率和晶體位元錯(cuò)誤之缺陷非常低。低缺陷率歸功于ST 碳化硅公司（前身為Norstel，2019年被ST 收購）在SiC 硅錠生長技術(shù)深厚積累的研發(fā)技術(shù)。除了晶圓能滿足嚴(yán)格的品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)，升級(jí)到8 吋SiC 晶圓還需要對(duì)制造設(shè)備和支援生態(tài)系統(tǒng)的升級(jí)，ST 正與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作研發(fā)專屬的制造設(shè)備和生產(chǎn)制程。