近日，中國第四代半導體“氧化鎵”材料產業化的先行者北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）完成由洪泰基金領投的數千萬元Pre-A輪融資。

 

銘鎵半導體成立于2020年，是國內專業從事氧化鎵材料及其功率器件產業化的高新企業。主要專注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵的高質量單晶與外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測器件和高頻大功率器件等產業化高新技術的研發，目前已實現2寸氧化鎵襯底材料量產。

 

銘鎵半導體是目前唯一可實現國產工業級氧化鎵半導體晶片小批量供貨的中國廠家，公司擁有一支強勁的博士人員研發團隊，核心成員中有多位具備10年以上半導體領域從業經驗的產業技術人才。現有專利17項（含申請中），實用新型3項，發明專利14項。

 

洪泰基金投資人王遠博 表示：日本在半導體材料領域一向具有風向標作用。此前，日本在研發領域缺少資金支持的情況下，依然在第四代半導體材料“氧化鎵”領域投入了重金；同時，2019年7月，三菱與電裝聯合宣布將成立一個新的合資企業，將目光投向了能夠挑戰SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）的功率半導體“氧化鎵”。可見日本對于“氧化鎵”未來在半導體領域發揮重要價值的期待之大。

 

技術上，第四代半導體材料“氧化鎵”在光電和功率半導體領域具有優異的指標，天然的屬性和其生長工藝使其性價比要比第三代半導體更具優勢。因此，我們看好“氧化鎵”材料未來的發展前景。

 

作為國內“氧化鎵”領域的先行者，銘鎵半導體具備先發優勢，目前已實現量產2寸，突破4寸技術，是目前唯一可實現國產工業級“氧化鎵”半導體晶片小批量供貨中國廠家。未來，洪泰基金看好銘鎵半導體在國內化合物半導體領域扮演重要角色。