AlGaN/GaN HEMT器件中存在的多樣復(fù)雜的二維耦合效應(yīng)，時至今日，對器件反向性能的表征手段仍舊是制約AlGaN/GaN HEMT耐壓特性研究的重要障礙。具體來說，由于AlGaN/GaN HEMT器件中存在的疊層耐壓結(jié)構(gòu)和二維缺陷態(tài)分布，雪崩擊穿過程在AlGaN/GaN HEMT和成熟的硅基橫向功率器件之間有著很大不同。特別是由于功率器件工作環(huán)境的極端性，導(dǎo)致目前基于TCAD工具數(shù)值仿真的耐壓性能分析方法往往是低效、耗時且收斂性差。

 

2021年9月13-14日，由南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。

 

屆時，南京郵電大學(xué)郭宇鋒教授將受邀出席峰會，并分享題為“基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)”的主題報告。為了能夠準確的、高效的預(yù)測AlGaN/GaN HEMT器件的反向特性，報告將詳細分享一種基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的數(shù)值仿真新方法。同時也提出一個多層人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)預(yù)測框架來預(yù)測AlGaN/GaN HEMT器件的反向特性。通過基于實驗數(shù)據(jù)校準的預(yù)測和模擬之間的良好一致性來驗證訓(xùn)練的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等。

 

欲知詳細最新研究進展與數(shù)據(jù)成果，敬請關(guān)注峰會，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜摇W(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流，共商合作事宜。

 

 

郭宇鋒教授、博導(dǎo)、南京郵電大學(xué)黨委常委、副校長、射頻集成與微組裝技術(shù)國家地方聯(lián)合工程實驗室常務(wù)副主任。研究方向為新型功率器件設(shè)計及功率集成電路技術(shù)；集成電路設(shè)計與系統(tǒng)集成。

 

主持國家級和省部級科研項目30余項，獲國家高等教育教學(xué)成果二等獎、中國電子學(xué)會科技進步獎三等獎、南京市科技進步二等獎、江蘇省教學(xué)成果特等獎等。在本領(lǐng)域國內(nèi)外權(quán)威期刊上發(fā)表論文200余篇，其中高水平SCI論文70余篇，申請中國發(fā)明專利40余件，授權(quán)專利30余項，出版教材5部。論文引用次數(shù)超過1000次，得到劍橋大學(xué)、普度大學(xué)、得州大學(xué)、電子科技大學(xué)等國際國內(nèi)知名高校的20余位IEEE Fellow、中科院院士等知名學(xué)者的正面評價。在國際上首次將機器學(xué)習(xí)引入功率集成器件設(shè)計，首創(chuàng)基于機器學(xué)習(xí)的集成功率器件設(shè)計新方法。