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聞泰科技:加強在中高壓Mosfet、化合物半導體產品SiC和GaN產品、以及模擬類產品的研發投入

日期:2021-09-14 閱讀:309
核心提示:2021年上半年,公司半導體業務研發投入3.93億元(全年規劃9.4億元),進一步加強了在中高壓Mosfet、化合物半導體產品SiC和GaN產品、以及模擬類產品的研發投入。
聞泰科技(600745.SH)9月13日在投資者互動平臺表示,2021年上半年,公司半導體業務研發投入3.93億元(全年規劃9.4億元),進一步加強了在中高壓Mosfet、化合物半導體產品SiC和GaN產品、以及模擬類產品的研發投入。在化合物半導體產品方面,目前氮化鎵已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET),已通過AEQC認證測試并實現量產,碳化硅技術研發也進展順利,碳化硅二極管產品已經出樣。

2021年,預計全年規劃資本性支出18.4億元,主要擴大產能和研發相關的設備投入。公司在德國漢堡晶圓廠的新增8寸晶圓產線已順利投產運營。安世集團已完成對英國Newport晶圓廠100%股權的收購,并已將其運營納入管理體系。Newport晶圓廠在車規級IGBT、功率MOSFET、模擬芯片和化合物半導體等領域的產能和工藝能力,與安世集團現有的產品與工藝能力的融合,將有助于推動公司抓住電動汽車時代和AIoT時代帶來的雙重機遇。

同時,2021年以來,公司控股股東聞天下投資的上海臨港12寸車規級晶圓項目也已經全面開工建設,未來將成為支撐公司半導體產能擴充的重要來源。2020年10月,公司曾發布公告說明,由于該項目投資金額大、建設周期長,且存在較大的不確定性,為避免上市公司投資風險,最大限度保護上市公司及全體股東特別是中小股東利益,經過審慎判斷,由公司的控股股東先行投資建設,上市公司有權擇機通過受讓項目公司股權方式收購該項目。
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