9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導。
會上，愛發科商貿電子營業部部長左超帶來了題為“量產高性能功率與射頻器件的 ULVAC裝備技術”的主題報告，分享了SiC功率器件工藝量產技術、 新型Si-IGBT器件工藝量產技術、GaN功率射頻器件量產技術等成果，涉及SiC 相關離子注入量產技術、高溫及常溫注入技術、碳膜覆蓋技術、Si-IGBT背面注入技術、Si-IGBT超薄Wafer解決方案、GaN HEMT制造工程、GaN離子注入技術、GaN功率器件溝槽刻蝕技術等。
報告表示，自動駕駛、5G通信、人工智能等新興領域的技術革新和發展，對電子半導體器件的全方位要求不斷提高。愛發科集團致力于各種電子半導體等前沿領域生產技術的研究和開發，特別是應用于大規模生產的下一代智慧能源的功率及射頻器件、MEMS及3D封裝等相關的真空技術（離子注入、鍍膜、等離子體刻蝕、灰化等）的研發和銷售推廣，不斷的為電子半導體制造工藝提供最新的綜合解決方案。
嘉賓簡介
左超，2009年加入愛發科商貿（上海）有限公司，現負責公司中國區部分電子半導體領域的真空設備的銷售推廣工作。同時，兼任負責功率射頻器件、MEMS電子部品、光學微顯示以及先進封裝等眾多半導體和電子真空技術的研發、項目管理及合作交流等工作。
