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復旦大學特聘教授張清純:SiC器件和模塊的最新進展

日期:2021-12-10 來源:半導體產業網閱讀:1954
核心提示:復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任張清純分享了“SiC器件和模塊的最新進展 ”主題報告。
 近日,由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)聯合主辦,北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳會展中心舉行。
 
期間, “IFWS 2021:碳化硅功率器件與封裝應用論壇“成功召開。會議由蕪湖啟迪半導體有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司協辦支持。
張清純
會上,復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任張清純分享了“SiC器件和模塊的最新進展 ”主題報告。
 
SiC功率器件的典型應用有新能源汽車產業、充電樁、新能源發電和儲能,這些產業都和碳中和息息相關。電力電子器件從應用于低功率手機充電器到電力系統兆瓦級的大功率轉換器和線路。由于應用了寬禁帶半導體器件,電力電子系統在縮減尺寸,提高效率和功率密度,可靠性等成為可能。
 
報告系統介紹了SiC功率器件應用、對低碳發展的意義以及國內SiC器件代工線最新進展。SiC的電力電子器件包括650伏到1700伏的二極管和MOSFET的研發和商品化以及如何降低器件的成本及其技術路線圖等內容,并對新一代器件技術的提高途徑和取得的重大進步方面也作了進一步的闡述。

(內容根據現場資料整理,如有出入敬請諒解)
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