近日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
期間，“固態紫外材料與器件技術“論壇上，香港科技大學教授李世瑋、艾歐史密斯（中國）熱水器有限公司技術總監陳小波、廣西大學物理學院光電材料與器件研究中心教授孫文紅、中山大學電子信息工程學院教授江灝、西安電子科技大學副教授寧靜、北京大學王柳冰，挪威科學院院士、挪威科學技術大學教授Helge WEMAN，廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授黃凱，中國科學院半導體研究所研究員魏同波，北京大學物理學院副教授許福軍，集美大學張議聰，廣東省科學院半導體研究所先進材料平臺副主任何晨光博士，桂林電子科技大學教授張法碧，鄭州大學Muhammad Nawaz Sharif，港科技術（佛山）有限公司董國帥等精英專家們通過線上線下等不同方式帶來精彩報告，分享前沿研究成果。廈門大學教授康俊勇和中國科學院半導體研究所研究員魏同波共同主持了本次論壇。
中山大學電子信息工程學院教授江灝做了題為“利用界面效應的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測應用”的主題報告，分享了最新研究成果。報告介紹利用界面摻雜效應提高鎂摻雜效率的研究。提出將摻雜界面分為上下界面，其中下部界面有利于Mg取代Al，而上部有利于Mg取代Ga。因此，引入金屬源脈沖流以促進界面效果。
可見光信息傳輸系統的出現正在深刻影響著物聯網技術的未來，物聯網復雜的傳感和驅動電路已成為阻礙信號轉換和處理的關鍵因素。西安電子科技大學副教授寧靜做了題為“基于維度調控的GaN紫外LED及光電集成”的主題報告，分享了最新研究成果，為實現影響物聯網技術的低功率光通信傳輸系統提供一種新方法，同時也是基于GaN新型生長機理的原創性工作。
北京大學王柳冰做了題為“通過引入透明復合p型層和Ag納米點/Al反射電極相結合提高深紫外LED的光提取效率”的主題報告。結合深紫外LED的研究背景，分享了兼顧深紫外LED電學特性和光學特性的技術手段，以及取得的研究成果。研究結果顯示，研究設計并實現了高透明復合p型層與Ag納米點/Al電極相結合的新型深紫外LED結構，在保證電學性能的基礎上提高了光提取效率。
挪威科學院院士、挪威科學技術大學教授Helge WEMAN做了題為“使用石墨烯作為透明導電襯底的AlGaN納米線UV LED”的視頻報告，其目前專注于研究使用MOVPE和MBE在石墨烯上自組裝GaN納米線的生長。取得了使用納米尺寸的AlGaN成核島在未經處理的CVD石墨烯上實現了非常高的成核率等進展。
廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授黃凱做了題為“紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究”的主題報告。通過引入極化子或等離子體激元等新概念，可以獲得具有新特性或高性能的光電子器件。報告展示了廈門大學在這方面取得的一些最新進展。
北京大學物理學院副教授許福軍做了題為“高質量AlN實現路徑探索及深紫外發光器件應用”的主題報告，分享了相關研究成果。其課題組系統開展了藍寶石襯底上高質量AlN外延生長和缺陷控制研究，探索了AlN外延薄膜晶體質量提升的控制路徑，取得了諸多進展。
集美大學張林君做了題為“AlGaN基UV-LED的熱阻分析”的主題報告。研究通過MOCVD外延技術和倒裝結構封裝工藝來探討264 nm的UVC LED的光、電、熱的物理特性。研究結果在UV滅菌光源、UV固化光源等應用領域具有很高的研究價值，特別是其高亮度、高穩定、長壽命的特點。
鄭州大學Muhammad Nawaz Sharif帶來了題為”銦摩爾分數對InGaN基近紫外發光二極管光學性能的影響“的視頻主題報告，報告顯示，InGaN基量子阱 (QW) 具有更高的穿透位錯密度 (TDD)，盡管TDD較高，但QW中的銦 (In) 波動會產生具有較高銦成分的局域激子。定域激子防止結合載流子非輻射復合，因銦成分較高而減少的非輻射復合導致自發發射率和內量子效率 (IQE) 提高。
艾歐史密斯（中國）熱水器有限公司技術總監陳小波做了題為“紫外殺菌技術在凈水器中的應用”的主題報告，紫外殺菌具有殺菌效率高、無化學污染物、適用性強等特點，相比傳統汞燈，UVC LED具有很多優勢，靜態殺菌過流式殺菌等應用狀況，當前，UVC LED殺菌應用存在著過流式模塊體積大、UVC LED殺菌率低、UVC LED成本高等難點。未來隨著凈水需求的提高，以及凈水器市場的增長，市場巨大。
港科技術（佛山）有限公司董國帥做了題為“峰值波長為 222nm 的遠紫外線KrCl準分子燈的活化能和壽命研究”的主題報告，分享了最新研究成果。對于具有各種長度/半徑的 KrCl Excilamp，成功地描繪了相對于歸一化距離的歸一化輻照度。
廣東省科學院半導體研究所先進材料平臺副主任何晨光博士分享了異質外延AlN材料的缺陷和應變調控研究成果。
桂林電子科技大學教授張法碧分享了紫外探測用Ga2O3合金研究的最新進展。
中國科學院半導體研究所研究員魏同波做了“AlN薄膜的應力調制、剝離及深紫外LED器件”的主題報告。
廣西大學物理學院光電材料與器件研究中心教授孫文紅分享了深紫外LED可靠性研究進展。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
