近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。

人們一直在推動將更寬的帶隙材料用于電力電子設(shè)備，帶隙越寬，擊穿場越大，這為制造具有相同材料厚度的更高擊穿電壓的器件打開了大門。然而，通常，向更寬帶隙的轉(zhuǎn)變伴隨著更具挑戰(zhàn)性的摻雜，以及制造高質(zhì)量原生襯底的困難。從這些方面來看，氧化鎵似乎提供了超越SiC和GaN的最佳位置。

期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“論壇上，美國康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING做了題為“對抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga₂O₃ ”的主題報告，分享了最新研究成果。報告指出，最有前途的氧化鎵形式之一是其b-phase相，其帶隙為4.5-4.7 eV。 幸運的是，很容易以可控的方式摻雜這種n型氧化物，實現(xiàn)跨越 10¹⁵ cm^-3 to 10²⁰ cm^-3.的摻雜。Ga₂O₃一個令人鼓舞的方面是這種材料的單晶襯底可以很容易地用熔體生長技術(shù)生產(chǎn)，反映了由硅制成的那些襯底的制造。另一方面，Ga₂O₃的熱導(dǎo)率相當(dāng)?shù)停芸赡軣o法摻雜 Ga₂O₃ p型。鑒于所有這些承諾和障礙，報告中還探討了是否有可能獲得Ga₂O₃ 大帶隙帶來的所有好處并展示優(yōu)于SiC和 GaN制造的器件。

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