近日，第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“分論壇上，南京大學(xué)況悅做了題為“κ-Ga₂O₃/In₂O₃ 同型異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶排列和界面彎曲”的主題報告，分享了最新成果。將κ-Ga₂O₃ 集成到其他氧化物半導(dǎo)體上開辟了一條令人興奮的途徑，亞穩(wěn)態(tài) κ-Ga₂O₃的基本生長動力學(xué)和物理特性仍遠未探索。研究通過激光分子束外延報告了單晶亞穩(wěn)態(tài)正交 κ-Ga₂O₃外延層和立方In₂O₃(111) 的異質(zhì)結(jié)構(gòu)構(gòu)造。發(fā)現(xiàn)Sn和In元素偏析到生長表面并作為表面活性劑降低氧吸附原子的總表面能和擴散勢壘，從而在生長前沿產(chǎn)生富含Ga的條件，從而促進κ- Ga₂O₃相。深度剖面X射線光發(fā)射光譜 (XPS) 分析確定了I型帶對齊，導(dǎo)帶偏移 (CBO) 為 0.45 eV，價帶偏移 (VBO) 為-1.15 eV 的κ-Ga₂O₃/In₂O₃異質(zhì)結(jié)構(gòu)。通過雙層模型對霍爾結(jié)果的分析確定，具有1.2×10¹⁴ cm^-2片狀載流子濃度和192 cm²/Vs 增強遷移率的二維電子氣 (2DEG) 被限制在異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面處。研究表明，增強的界面電導(dǎo)率是極化操縱和帶不連續(xù)性相結(jié)合的結(jié)果，壓電力顯微鏡和深度剖面XPS的特性很好地支持。通過將 κ-Ga₂O₃ 集成到其他六邊形極性半導(dǎo)體上，可以打開通過極化工程操縱界面電導(dǎo)率的可能性，并提供具有多種功能的先進設(shè)備。

況悅，主要研究方向為寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)與能帶工程，作為核心成員參與國家重點研發(fā)計劃課題、國家自然科學(xué)基金等，曾獲南京大學(xué)優(yōu)秀研究生、江蘇金融租賃獎學(xué)金、南京大學(xué)學(xué)業(yè)一等獎學(xué)金等，目前已在Applied Physics Letters, ACS Applied Electronic Materials等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表多篇學(xué)術(shù)論文。多次在半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會議等重要會議上作口頭報告。

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）