近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。  期間，“超寬禁帶半導體材料“論壇上，鄭州大學電子材料與系統國際聯合研究中心主任、教授劉玉懷做了題為“六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長研究綜述”的主題報告。六方相氮化硼薄膜（hBN）可望應用于深紫外發光器件、中子探測器件以及電子器件的襯底層、介質層或絕緣層，近年來hBN研究成果吸引了大量關注。報告展示hBN在不同襯底上的生長比較，包括藍寶石襯底、氮化鋁/藍寶石模板、氮化鋁襯底以及金剛石襯底等。分享了在藍寶石、AlN/藍寶石模板和金剛石襯底上生長的BN，觀察到在不同基板上生長的所有BN薄膜的皺紋圖案，可以看到生長的BN膜具有六重對稱性，表明形成了六邊形BN，B(~190 eV)和N(~401 eV)的K邊上的π*和σ*能量損失等最新研究成果。

 

劉玉懷，主要研究方向為氮化物半導體材料與器件，主持國家重點研發計劃政府間國際科技創新合作重點專項（基于氮化物半導體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學基金面上項目、河南省科技攻關項目等13項。發表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權中國發明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權5項。紫外LED技術轉移1項。目前主持第三批“智匯鄭州1125創新創業領軍團隊”三色LED集成芯片項目，參與寧波市2025重大科技專項“深紫外LED產業化”。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）